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BFU725F/N1,115

BFU725F/N1,115

Solo per riferimento

Numero parte BFU725F/N1,115
PNEDA Part # BFU725F-N1-115
Descrizione RF TRANS NPN 2.8V 55GHZ 4SO
Produttore NXP
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 92.274
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 6 - mag 11 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

BFU725F/N1 Risorse

Brand NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteBFU725F/N1,115
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - RF
Datasheet
BFU725F/N1, BFU725F/N1 Datasheet (Totale pagine: 12, Dimensioni: 136,91 KB)
PDFBFU725F/N1 Datasheet Copertura
BFU725F/N1 Datasheet Pagina 2 BFU725F/N1 Datasheet Pagina 3 BFU725F/N1 Datasheet Pagina 4 BFU725F/N1 Datasheet Pagina 5 BFU725F/N1 Datasheet Pagina 6 BFU725F/N1 Datasheet Pagina 7 BFU725F/N1 Datasheet Pagina 8 BFU725F/N1 Datasheet Pagina 9 BFU725F/N1 Datasheet Pagina 10 BFU725F/N1 Datasheet Pagina 11

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BFU725F/N1 Specifiche

ProduttoreNXP USA Inc.
Serie-
Tipo di transistorNPN
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)2.8V
Frequenza - Transizione55GHz
Figura di rumore (dB Typ @ f)0.42dB ~ 1.1dB @ 1.5GHz ~ 12GHz
Guadagno10dB ~ 24dB
Potenza - Max136mW
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce160 @ 10mA, 2V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)40mA
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaSOT-343 Reverse Pinning
Pacchetto dispositivo fornitore4-SO

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Toshiba Semiconductor and Storage

Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

4V

Frequenza - Transizione

26.5GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

0.55dB @ 2GHz

Guadagno

16.9dB

Potenza - Max

250mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

200 @ 10mA, 3V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

50mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-82A, SOT-343

Pacchetto dispositivo fornitore

USQ

62091

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Frequenza - Transizione

-

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

-

Potenza - Max

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

MS2472

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

65V

Frequenza - Transizione

1.025GHz ~ 1.15GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

5.6dB

Potenza - Max

1350W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

5 @ 250mA, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

40A

Temperatura di esercizio

200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

M112

Pacchetto dispositivo fornitore

M112

BFU530WX

NXP

Produttore

NXP USA Inc.

Serie

Automotive, AEC-Q101

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

12V

Frequenza - Transizione

11GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

0.6dB @ 900MHz

Guadagno

18.5dB

Potenza - Max

450mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

60 @ 10mA, 8V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

40mA

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-70, SOT-323

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-323-3

MRF553G

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

16V

Frequenza - Transizione

175MHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

11dB ~ 13dB

Potenza - Max

3W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

30 @ 250mA, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

500mA

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

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Pacchetto dispositivo fornitore

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