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BFU580GX

BFU580GX

Solo per riferimento

Numero parte BFU580GX
PNEDA Part # BFU580GX
Descrizione RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT223
Produttore NXP
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.128
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 12 - mag 17 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

BFU580GX Risorse

Brand NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteBFU580GX
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - RF
Datasheet
BFU580GX, BFU580GX Datasheet (Totale pagine: 21, Dimensioni: 293,65 KB)
PDFBFU580GX Datasheet Copertura
BFU580GX Datasheet Pagina 2 BFU580GX Datasheet Pagina 3 BFU580GX Datasheet Pagina 4 BFU580GX Datasheet Pagina 5 BFU580GX Datasheet Pagina 6 BFU580GX Datasheet Pagina 7 BFU580GX Datasheet Pagina 8 BFU580GX Datasheet Pagina 9 BFU580GX Datasheet Pagina 10 BFU580GX Datasheet Pagina 11

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BFU580GX Specifiche

ProduttoreNXP USA Inc.
Serie-
Tipo di transistorNPN
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)12V
Frequenza - Transizione11GHz
Figura di rumore (dB Typ @ f)1.4dB @ 1.8GHz
Guadagno10.5dB
Potenza - Max1W
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce60 @ 30mA, 8V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)60mA
Temperatura di esercizio-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaTO-261-4, TO-261AA
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-223

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Produttore

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-

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Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

8.2dB

Potenza - Max

30W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

10 @ 200mA, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

3A

Temperatura di esercizio

200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis, Stud Mount

Pacchetto / Custodia

M135

Pacchetto dispositivo fornitore

M135

80277H

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Frequenza - Transizione

-

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

-

Potenza - Max

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

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Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

65V

Frequenza - Transizione

225MHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

8.4dB

Potenza - Max

220W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

20 @ 2A, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

7A

Temperatura di esercizio

200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

M218

Pacchetto dispositivo fornitore

M218

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NXP

Produttore

NXP USA Inc.

Serie

-

Tipo di transistor

PNP

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

15V

Frequenza - Transizione

5GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

-

Potenza - Max

1W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

25 @ 70mA, 10V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Temperatura di esercizio

175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-261-4, TO-261AA

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-223

Produttore

NXP USA Inc.

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

15V

Frequenza - Transizione

2.8GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

2.5dB @ 800MHz

Guadagno

-

Potenza - Max

300mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

25 @ 2mA, 1V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

25mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

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Pacchetto / Custodia

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