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BFU550WX

BFU550WX

Solo per riferimento

Numero parte BFU550WX
PNEDA Part # BFU550WX
Descrizione RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT323-3
Produttore NXP
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 47.352
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 6 - mag 11 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

BFU550WX Risorse

Brand NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteBFU550WX
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - RF
Datasheet
BFU550WX, BFU550WX Datasheet (Totale pagine: 22, Dimensioni: 296,66 KB)
PDFBFU550WF Datasheet Copertura
BFU550WF Datasheet Pagina 2 BFU550WF Datasheet Pagina 3 BFU550WF Datasheet Pagina 4 BFU550WF Datasheet Pagina 5 BFU550WF Datasheet Pagina 6 BFU550WF Datasheet Pagina 7 BFU550WF Datasheet Pagina 8 BFU550WF Datasheet Pagina 9 BFU550WF Datasheet Pagina 10 BFU550WF Datasheet Pagina 11

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BFU550WX Specifiche

ProduttoreNXP USA Inc.
SerieAutomotive, AEC-Q101
Tipo di transistorNPN
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)12V
Frequenza - Transizione11GHz
Figura di rumore (dB Typ @ f)0.6dB @ 900MHz
Guadagno18dB
Potenza - Max450mW
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce60 @ 15mA, 8V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)50mA
Temperatura di esercizio-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaSC-70, SOT-323
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-323-3

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2N3663

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

12V

Frequenza - Transizione

2.1GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

6.5dB @ 60MHz

Guadagno

1.5dB

Potenza - Max

350mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

20 @ 8mA, 10V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

50mA

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92-3

BFR 183W E6327

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

12V

Frequenza - Transizione

8GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

Guadagno

18.5dB

Potenza - Max

450mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

70 @ 15mA, 8V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

65mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-70, SOT-323

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-SOT323-3

1214-55

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Frequenza - Transizione

1.2GHz ~ 1.4GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

7dB

Potenza - Max

175W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

20 @ 1A, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

8A

Temperatura di esercizio

200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

55AW

Pacchetto dispositivo fornitore

55AW

SD1244-09H

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Frequenza - Transizione

-

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

-

Potenza - Max

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

60206

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Frequenza - Transizione

-

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

-

Potenza - Max

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Temperatura di esercizio

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Tipo di montaggio

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Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

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