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BFU520XVL

BFU520XVL

Solo per riferimento

Numero parte BFU520XVL
PNEDA Part # BFU520XVL
Descrizione RF TRANS NPN 12V 10.5GHZ SOT143B
Produttore NXP
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.402
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 16 - mag 21 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

BFU520XVL Risorse

Brand NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteBFU520XVL
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - RF
Datasheet
BFU520XVL, BFU520XVL Datasheet (Totale pagine: 22, Dimensioni: 300,93 KB)
PDFBFU520XVL Datasheet Copertura
BFU520XVL Datasheet Pagina 2 BFU520XVL Datasheet Pagina 3 BFU520XVL Datasheet Pagina 4 BFU520XVL Datasheet Pagina 5 BFU520XVL Datasheet Pagina 6 BFU520XVL Datasheet Pagina 7 BFU520XVL Datasheet Pagina 8 BFU520XVL Datasheet Pagina 9 BFU520XVL Datasheet Pagina 10 BFU520XVL Datasheet Pagina 11

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BFU520XVL Specifiche

ProduttoreNXP USA Inc.
Serie-
Tipo di transistorNPN
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)12V
Frequenza - Transizione10.5GHz
Figura di rumore (dB Typ @ f)1.1dB @ 1.8GHz
Guadagno18dB
Potenza - Max450mW
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce60 @ 5mA, 8V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)30mA
Temperatura di esercizio-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaTO-253-4, TO-253AA
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-143B

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Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

30V

Frequenza - Transizione

225MHz ~ 400MHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

11.8db ~ 13dB

Potenza - Max

11W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

10 @ 100A, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

700mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis, Stud Mount

Pacchetto / Custodia

55FT

Pacchetto dispositivo fornitore

55FT

2SC3585-A

CEL

Produttore

CEL

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

10V

Frequenza - Transizione

10GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1.8dB @ 2GHz

Guadagno

10dB

Potenza - Max

200mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

50 @ 10mA, 6V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

35mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

-

2SC5087-O(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

12V

Frequenza - Transizione

7GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1dB ~ 1.1dB @ 500MHz ~ 1GHz

Guadagno

-

Potenza - Max

150mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

80 @ 20mA, 10V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

80mA

Temperatura di esercizio

125°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-61AA

Pacchetto dispositivo fornitore

SMQ

SD1400-03

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Frequenza - Transizione

-

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

-

Potenza - Max

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

0912-25

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

55V

Frequenza - Transizione

960MHz ~ 1.215GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

8.5dB ~ 10dB

Potenza - Max

125W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

10 @ 300mA, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

2.5A

Temperatura di esercizio

200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

55CT

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