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BFR 182 B6663

BFR 182 B6663

Solo per riferimento

Numero parte BFR 182 B6663
PNEDA Part # BFR-182-B6663
Descrizione RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT23-3
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.150
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 20 - mag 25 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

BFR 182 B6663 Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteBFR 182 B6663
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - RF

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BFR 182 B6663 Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
Serie-
Tipo di transistorNPN
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)12V
Frequenza - Transizione8GHz
Figura di rumore (dB Typ @ f)0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Guadagno12dB ~ 18dB
Potenza - Max250mW
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce70 @ 10mA, 8V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)35mA
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-23-3

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

12V

Frequenza - Transizione

2GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

-

Potenza - Max

200W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

25 @ 3mA, 1V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

50mA

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92-3

TAN300

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

65V

Frequenza - Transizione

960MHz ~ 1.215GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

6.6dB

Potenza - Max

1166W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

10 @ 1mA, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

20A

Temperatura di esercizio

200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

55KT

Pacchetto dispositivo fornitore

55KT

Produttore

NXP USA Inc.

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

5V

Frequenza - Transizione

5GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1.9dB ~ 2dB @ 1GHz

Guadagno

-

Potenza - Max

500mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

50 @ 500µA, 1V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

6.5mA

Temperatura di esercizio

175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-343 Reverse Pinning

Pacchetto dispositivo fornitore

4-SO

2SC5231A-9-TL-E

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

10V

Frequenza - Transizione

7GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1dB @ 1GHz

Guadagno

12dB ~ 8.5dB @ 1GHz

Potenza - Max

100mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

135 @ 20mA, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

70mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

3-SMD, Gull Wing

Pacchetto dispositivo fornitore

SMCP

MS1701

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Frequenza - Transizione

-

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

-

Potenza - Max

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

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