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BFP 640FESD E6327

BFP 640FESD E6327

Solo per riferimento

Numero parte BFP 640FESD E6327
PNEDA Part # BFP-640FESD-E6327
Descrizione RF TRANS NPN 4.7V 46GHZ 4TSFP
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.232
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata lug 21 - lug 26 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

BFP 640FESD E6327 Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteBFP 640FESD E6327
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - RF

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BFP 640FESD E6327 Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
Serie-
Tipo di transistorNPN
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)4.7V
Frequenza - Transizione46GHz
Figura di rumore (dB Typ @ f)0.55dB ~ 1.7dB @ 150MHz ~ 10GHz
Guadagno8B ~ 30.5dB
Potenza - Max200mW
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce110 @ 30mA, 3V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)50mA
Temperatura di esercizio-
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia4-SMD, Flat Leads
Pacchetto dispositivo fornitore4-TSFP

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Produttore

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Serie

-

Tipo di transistor

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Frequenza - Transizione

-

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

-

Potenza - Max

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

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Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

65V

Frequenza - Transizione

1.025GHz ~ 1.15GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

6.5dB

Potenza - Max

1458W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

5 @ 250mA, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

22A

Temperatura di esercizio

200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

M112

Pacchetto dispositivo fornitore

M112

PH1090-75L

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Produttore

M/A-Com Technology Solutions

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

70V

Frequenza - Transizione

-

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

10.70dB ~ 10.81dB

Potenza - Max

75W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

6A

Temperatura di esercizio

200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

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Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Frequenza - Transizione

-

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

-

Potenza - Max

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

25V

Frequenza - Transizione

650MHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

-

Potenza - Max

225mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

60 @ 4mA, 10V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

50mA

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

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