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BFG35,115

BFG35,115

Solo per riferimento

Numero parte BFG35,115
PNEDA Part # BFG35-115
Descrizione RF TRANS NPN 18V 4GHZ SOT223
Produttore NXP
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 23.748
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 15 - mag 20 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

BFG35 Risorse

Brand NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteBFG35,115
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - RF
Datasheet
BFG35, BFG35 Datasheet (Totale pagine: 14, Dimensioni: 283,69 KB)
PDFBFG35 Datasheet Copertura
BFG35 Datasheet Pagina 2 BFG35 Datasheet Pagina 3 BFG35 Datasheet Pagina 4 BFG35 Datasheet Pagina 5 BFG35 Datasheet Pagina 6 BFG35 Datasheet Pagina 7 BFG35 Datasheet Pagina 8 BFG35 Datasheet Pagina 9 BFG35 Datasheet Pagina 10 BFG35 Datasheet Pagina 11

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BFG35 Specifiche

ProduttoreNXP USA Inc.
Serie-
Tipo di transistorNPN
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)18V
Frequenza - Transizione4GHz
Figura di rumore (dB Typ @ f)-
Guadagno-
Potenza - Max1W
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce25 @ 100mA, 10V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)150mA
Temperatura di esercizio175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaTO-261-4, TO-261AA
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-223

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Renesas Electronics America Inc.

Produttore

Renesas Electronics America Inc.

Serie

-

Tipo di transistor

6 NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

12V

Frequenza - Transizione

10GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1.8dB ~ 2.1dB @ 500MHz ~ 1GHz

Guadagno

12.4dB ~ 17.5dB

Potenza - Max

250mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

40 @ 10mA, 3V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

30mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

14-SOIC

UPA801T-A

CEL

Produttore

CEL

Serie

-

Tipo di transistor

2 NPN (Dual)

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

12V

Frequenza - Transizione

4.5GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1.2dB @ 1GHz

Guadagno

-

Potenza - Max

200mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

70 @ 7mA, 3V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-363

CP302-MPSH10-CT20

Central Semiconductor Corp

Produttore

Central Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

25V

Frequenza - Transizione

650MHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

-

Potenza - Max

350mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

60 @ 4mA, 10V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

Die

Pacchetto dispositivo fornitore

Die

Produttore

NXP USA Inc.

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

2.8V

Frequenza - Transizione

-

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1.1dB @ 2.4GHz

Guadagno

13.1dB

Potenza - Max

220mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

155 @ 10mA, 2V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

70mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-343F

Pacchetto dispositivo fornitore

4-DFP

HFA3096BZ96

Renesas Electronics America Inc.

Produttore

Renesas Electronics America Inc.

Serie

-

Tipo di transistor

3 NPN + 2 PNP

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

12V, 15V

Frequenza - Transizione

8GHz, 5.5GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

3.5dB @ 1GHz

Guadagno

-

Potenza - Max

150mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

40 @ 10mA, 2V / 20 @ 10mA, 2V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

65mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

16-SOIC

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