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BFG10,215

BFG10,215

Solo per riferimento

Numero parte BFG10,215
PNEDA Part # BFG10-215
Descrizione RF TRANS NPN 8V 1.9GHZ SOT143B
Produttore NXP
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.434
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 26 - mag 31 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

BFG10 Risorse

Brand NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteBFG10,215
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - RF
Datasheet
BFG10, BFG10 Datasheet (Totale pagine: 11, Dimensioni: 257,77 KB)
PDFBFG10/X Datasheet Copertura
BFG10/X Datasheet Pagina 2 BFG10/X Datasheet Pagina 3 BFG10/X Datasheet Pagina 4 BFG10/X Datasheet Pagina 5 BFG10/X Datasheet Pagina 6 BFG10/X Datasheet Pagina 7 BFG10/X Datasheet Pagina 8 BFG10/X Datasheet Pagina 9 BFG10/X Datasheet Pagina 10 BFG10/X Datasheet Pagina 11

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BFG10 Specifiche

ProduttoreNXP USA Inc.
Serie-
Tipo di transistorNPN
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)8V
Frequenza - Transizione1.9GHz
Figura di rumore (dB Typ @ f)-
Guadagno7dB
Potenza - Max400mW
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce25 @ 50mA, 5V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)250mA
Temperatura di esercizio175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaTO-253-4, TO-253AA
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-143B

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M/A-Com Technology Solutions

Produttore

M/A-Com Technology Solutions

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

33V

Frequenza - Transizione

-

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

13dB

Potenza - Max

10W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

20 @ 500mA, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

1.1A

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

244-04

Pacchetto dispositivo fornitore

244-04, STYLE 1

BFG 19S E6327

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

15V

Frequenza - Transizione

5.5GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

2dB ~ 3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

Guadagno

14dB ~ 8.5dB

Potenza - Max

1W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

70 @ 70mA, 8V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

210mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-261-4, TO-261AA

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-SOT223-4

TAN250A

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

60V

Frequenza - Transizione

960MHz ~ 1.215GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

6.2db ~ 7dB

Potenza - Max

575W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

10 @ 1A, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

30A

Temperatura di esercizio

200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

55AW

Pacchetto dispositivo fornitore

55AW

MS2225H

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Frequenza - Transizione

-

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

-

Potenza - Max

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

MS1076A

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Frequenza - Transizione

-

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

-

Potenza - Max

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

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