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BF799E6327HTSA1

BF799E6327HTSA1

Solo per riferimento

Numero parte BF799E6327HTSA1
PNEDA Part # BF799E6327HTSA1
Descrizione RF TRANS NPN 20V 800MHZ SOT23-3
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.964
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata lug 17 - lug 22 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

BF799E6327HTSA1 Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteBF799E6327HTSA1
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - RF
Datasheet
BF799E6327HTSA1, BF799E6327HTSA1 Datasheet (Totale pagine: 6, Dimensioni: 520,18 KB)
PDFBF799E6327HTSA1 Datasheet Copertura
BF799E6327HTSA1 Datasheet Pagina 2 BF799E6327HTSA1 Datasheet Pagina 3 BF799E6327HTSA1 Datasheet Pagina 4 BF799E6327HTSA1 Datasheet Pagina 5 BF799E6327HTSA1 Datasheet Pagina 6

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BF799E6327HTSA1 Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
Serie-
Tipo di transistorNPN
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)20V
Frequenza - Transizione800MHz
Figura di rumore (dB Typ @ f)3dB @ 100MHz
Guadagno-
Potenza - Max280mW
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce40 @ 20mA, 10V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)35mA
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-23-3

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Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

15V

Frequenza - Transizione

500MHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

4.5dB @ 450MHz

Guadagno

12.5dB ~ 21dB @ 450MHz

Potenza - Max

200mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

30 @ 3mA, 1V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

40mA

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-206AF, TO-72-4 Metal Can

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-72

MS2341

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

65V

Frequenza - Transizione

1.025GHz ~ 1.15GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

9dB

Potenza - Max

87.5W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

2.6A

Temperatura di esercizio

200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

M115

Pacchetto dispositivo fornitore

M115

KSC2757YMTF

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

15V

Frequenza - Transizione

1.1GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

-

Potenza - Max

150mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

120 @ 5mA, 10V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

50mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-23-3 (TO-236)

Produttore

NXP USA Inc.

Serie

-

Tipo di transistor

2 NPN (Dual)

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

8V

Frequenza - Transizione

9GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1.1dB ~ 1.9dB @ 900MHz ~ 2GHz

Guadagno

-

Potenza - Max

500mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

60 @ 5mA, 6V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

18mA

Temperatura di esercizio

175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Pacchetto dispositivo fornitore

6-TSSOP

Produttore

CEL

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

10V

Frequenza - Transizione

7GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1.4dB ~ 2.7dB @ 1GHz

Guadagno

-

Potenza - Max

125mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

80 @ 7mA, 3V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

65mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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