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BF771E6327HTSA1

BF771E6327HTSA1

Solo per riferimento

Numero parte BF771E6327HTSA1
PNEDA Part # BF771E6327HTSA1
Descrizione RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT23-3
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.724
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 20 - mag 25 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

BF771E6327HTSA1 Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteBF771E6327HTSA1
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - RF
Datasheet
BF771E6327HTSA1, BF771E6327HTSA1 Datasheet (Totale pagine: 5, Dimensioni: 51,77 KB)
PDFBF771E6327HTSA1 Datasheet Copertura
BF771E6327HTSA1 Datasheet Pagina 2 BF771E6327HTSA1 Datasheet Pagina 3 BF771E6327HTSA1 Datasheet Pagina 4 BF771E6327HTSA1 Datasheet Pagina 5

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BF771E6327HTSA1 Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
Serie-
Tipo di transistorNPN
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)12V
Frequenza - Transizione8GHz
Figura di rumore (dB Typ @ f)1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Guadagno10dB ~ 15dB
Potenza - Max580mW
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce70 @ 30mA, 8V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)80mA
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-23-3

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Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

65V

Frequenza - Transizione

1.03GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

10.2dBd

Potenza - Max

2095W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

20 @ 1A, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

60A

Temperatura di esercizio

200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

55TU-1

Pacchetto dispositivo fornitore

55TU-1

MRF4427GR2

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

20V

Frequenza - Transizione

-

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

20dB

Potenza - Max

1.5W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

10 @ 10mA, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

400mA

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

2SC4226-A

CEL

Produttore

CEL

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

12V

Frequenza - Transizione

4.5GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1.2dB @ 1GHz

Guadagno

9dB

Potenza - Max

150mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

40 @ 7mA, 3V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-70, SOT-323

Pacchetto dispositivo fornitore

SC-70-3

75109A

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Frequenza - Transizione

-

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

-

Potenza - Max

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

BFP640H6327XTSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

4.5V

Frequenza - Transizione

40GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

0.65dB ~ 1.2dB @ 1.8GHz ~ 6GHz

Guadagno

12.5dB

Potenza - Max

200mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

110 @ 30mA, 3V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

50mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-82A, SOT-343

Pacchetto dispositivo fornitore

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