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BDT61B-S

BDT61B-S

Solo per riferimento

Numero parte BDT61B-S
PNEDA Part # BDT61B-S
Descrizione TRANS NPN DARL 100V 4A
Produttore Bourns
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.960
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 14 - giu 19 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

BDT61B-S Risorse

Brand Bourns
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteBDT61B-S
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - Singolo
Datasheet
BDT61B-S, BDT61B-S Datasheet (Totale pagine: 4, Dimensioni: 84,78 KB)
PDFBDT61-S Datasheet Copertura
BDT61-S Datasheet Pagina 2 BDT61-S Datasheet Pagina 3 BDT61-S Datasheet Pagina 4

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BDT61B-S Specifiche

ProduttoreBourns Inc.
Serie-
Tipo di transistorNPN - Darlington
Corrente - Collettore (Ic) (Max)4A
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)100V
Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic2.5V @ 6mA, 1.5A
Corrente - Taglio collettore (Max)500µA
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce750 @ 1.5A, 3V
Potenza - Max2W
Frequenza - Transizione-
Temperatura di esercizio-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-220-3
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-220

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Corrente - Collettore (Ic) (Max)

1A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

175V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

600mV @ 5mA, 50mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

10µA

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 50mA, 10V

Potenza - Max

1.5W

Frequenza - Transizione

-

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

3-SMD, No Lead

Pacchetto dispositivo fornitore

UB

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Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

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Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

1A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

350V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 4mA, 50mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

2µA

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

40 @ 20mA, 10V

Potenza - Max

800mW

Frequenza - Transizione

-

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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Serie

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Tipo di transistor

PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

3A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

390mV @ 300mA, 3A

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

200 @ 1A, 2V

Potenza - Max

1.6W

Frequenza - Transizione

100MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

Renesas Electronics America

Serie

-

Tipo di transistor

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

-

Corrente - Taglio collettore (Max)

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

-

Potenza - Max

-

Frequenza - Transizione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

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Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

500mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 10mA, 100mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

70 @ 100mA, 1V

Potenza - Max

200mW

Frequenza - Transizione

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Temperatura di esercizio

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