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BD135-6-BP

BD135-6-BP

Solo per riferimento

Numero parte BD135-6-BP
PNEDA Part # BD135-6-BP
Descrizione TRANS NPN TO-126
Produttore Micro Commercial Co
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.394
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 23 - mag 28 (Scegli Spedizione rapida)
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BD135-6-BP Risorse

Brand Micro Commercial Co
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteBD135-6-BP
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - Singolo
Datasheet
BD135-6-BP, BD135-6-BP Datasheet (Totale pagine: 3, Dimensioni: 239,01 KB)
PDFBD139-6-BP Datasheet Copertura
BD139-6-BP Datasheet Pagina 2 BD139-6-BP Datasheet Pagina 3

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BD135-6-BP Specifiche

ProduttoreMicro Commercial Co
Serie-
Tipo di transistorNPN
Corrente - Collettore (Ic) (Max)1.5A
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)45V
Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic500mV @ 50mA, 500mA
Corrente - Taglio collettore (Max)100nA (ICBO)
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce40 @ 150mA, 2V
Potenza - Max1.25W
Frequenza - Transizione-
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-225AA, TO-126-3
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-126

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

6A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

120V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

1V @ 100mA, 1A

Corrente - Taglio collettore (Max)

1mA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

120 @ 1A, 5V

Potenza - Max

40W

Frequenza - Transizione

10MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220-3

2SB1197KT146Q

Rohm Semiconductor

Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

800mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

32V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 50mA, 500mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

500nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

120 @ 100mA, 3V

Potenza - Max

200mW

Frequenza - Transizione

200MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

SMT3

2N5551ZL1

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

600mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

160V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

200mV @ 5mA, 50mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

50nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

80 @ 10mA, 5V

Potenza - Max

625mW

Frequenza - Transizione

300MHz

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92-3

BCW61DMTF

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

32V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

550mV @ 1.25mA, 50mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

20nA

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

380 @ 2mA, 5V

Potenza - Max

350mW

Frequenza - Transizione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-23-3

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Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

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-

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

500mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

30V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 10mA, 100mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

200 @ 100mA, 1V

Potenza - Max

150mW

Frequenza - Transizione

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Temperatura di esercizio

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