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BCV47E6327HTSA1

BCV47E6327HTSA1

Solo per riferimento

Numero parte BCV47E6327HTSA1
PNEDA Part # BCV47E6327HTSA1
Descrizione TRANS NPN DARL 60V 0.5A SOT-23
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 265.266
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 1 - mag 6 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

BCV47E6327HTSA1 Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteBCV47E6327HTSA1
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - Singolo

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BCV47E6327HTSA1 Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
Serie-
Tipo di transistorNPN - Darlington
Corrente - Collettore (Ic) (Max)500mA
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)60V
Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic1V @ 100µA, 100mA
Corrente - Taglio collettore (Max)100nA (ICBO)
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce10000 @ 100mA, 5V
Potenza - Max360mW
Frequenza - Transizione170MHz
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-23-3

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STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

-

Tipo di transistor

PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

1A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

80V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 50mA, 500mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

50nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 100mA, 5V

Potenza - Max

800mW

Frequenza - Transizione

500MHz

Temperatura di esercizio

175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-39

FJP3305H2

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

4A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

400V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

1V @ 1A, 4A

Corrente - Taglio collettore (Max)

1µA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

26 @ 1A, 5V

Potenza - Max

75W

Frequenza - Transizione

4MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220-3

JANTX2N6674

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

*

Tipo di transistor

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

-

Corrente - Taglio collettore (Max)

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

-

Potenza - Max

-

Frequenza - Transizione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

BC490G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

1A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

80V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 100mA, 1A

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

60 @ 100mA, 2V

Potenza - Max

625mW

Frequenza - Transizione

150MHz

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92-3

BC556BTF

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

65V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

650mV @ 5mA, 100mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

15nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

200 @ 2mA, 5V

Potenza - Max

500mW

Frequenza - Transizione

150MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92-3

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