BCR 166F E6327
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| Numero parte | BCR 166F E6327 |
| PNEDA Part # | BCR-166F-E6327 |
| Descrizione | TRANS PREBIAS PNP 250MW TSFP-3 |
| Produttore | Infineon Technologies |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 5.904 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | giu 3 - giu 8 (Scegli Spedizione rapida) |
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BCR 166F E6327 Risorse
| Brand | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | BCR 166F E6327 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato |
| Datasheet |
BCR 166F E6327, BCR 166F E6327 Datasheet
(Totale pagine: 8, Dimensioni: 836,35 KB)
  
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BCR 166F E6327 Specifiche
| Produttore | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| Tipo di transistor | PNP - Pre-Biased |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | 100mA |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 50V |
| Resistenza - Base (R1) | 4.7 kOhms |
| Resistenza - Base Emettitore (R2) | 47 kOhms |
| Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 5mA, 5V |
| Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
| Corrente - Taglio collettore (Max) | 100nA (ICBO) |
| Frequenza - Transizione | 160MHz |
| Potenza - Max | 250mW |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | SOT-723 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TSFP-3 |
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Produttore NXP USA Inc. Serie - Tipo di transistor PNP - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max) 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 50V Resistenza - Base (R1) 47 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2) 22 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 60 @ 5mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic 150mV @ 500µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max) 1µA Frequenza - Transizione - Potenza - Max 500mW Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Pacchetto dispositivo fornitore TO-92-3 |
Produttore Nexperia USA Inc. Serie - Tipo di transistor PNP - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max) 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 50V Resistenza - Base (R1) 100 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2) - Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 1mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic 150mV @ 250µA, 5mA Corrente - Taglio collettore (Max) 1µA Frequenza - Transizione - Potenza - Max 200mW Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia SC-70, SOT-323 Pacchetto dispositivo fornitore SC-70 |
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Produttore NXP USA Inc. Serie - Tipo di transistor PNP - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max) 500mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 50V Resistenza - Base (R1) 1 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2) 1 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 33 @ 50mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 2.5mA, 50mA Corrente - Taglio collettore (Max) 500nA Frequenza - Transizione - Potenza - Max 500mW Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Pacchetto dispositivo fornitore TO-92-3 |
