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BCR 149L3 E6327

BCR 149L3 E6327

Solo per riferimento

Numero parte BCR 149L3 E6327
PNEDA Part # BCR-149L3-E6327
Descrizione TRANS PREBIAS NPN 250MW TSLP-3
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.546
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 21 - mag 26 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

BCR 149L3 E6327 Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteBCR 149L3 E6327
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato
Datasheet
BCR 149L3 E6327, BCR 149L3 E6327 Datasheet (Totale pagine: 11, Dimensioni: 203,72 KB)
PDFBCR 149T E6327 Datasheet Copertura
BCR 149T E6327 Datasheet Pagina 2 BCR 149T E6327 Datasheet Pagina 3 BCR 149T E6327 Datasheet Pagina 4 BCR 149T E6327 Datasheet Pagina 5 BCR 149T E6327 Datasheet Pagina 6 BCR 149T E6327 Datasheet Pagina 7 BCR 149T E6327 Datasheet Pagina 8 BCR 149T E6327 Datasheet Pagina 9 BCR 149T E6327 Datasheet Pagina 10 BCR 149T E6327 Datasheet Pagina 11

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BCR 149L3 E6327 Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
Serie-
Tipo di transistorNPN - Pre-Biased
Corrente - Collettore (Ic) (Max)70mA
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)50V
Resistenza - Base (R1)47 kOhms
Resistenza - Base Emettitore (R2)-
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce120 @ 5mA, 5V
Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic300mV @ 500µA, 10mA
Corrente - Taglio collettore (Max)100nA (ICBO)
Frequenza - Transizione150MHz
Potenza - Max250mW
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaSC-101, SOT-883
Pacchetto dispositivo fornitorePG-TSLP-3-4

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Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

PNP - Pre-Biased

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Resistenza - Base (R1)

100 kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

100 kOhms

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

82 @ 5mA, 5V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

500nA

Frequenza - Transizione

250MHz

Potenza - Max

200mW

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

SST3

BCR 142F E6327

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo di transistor

NPN - Pre-Biased

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Resistenza - Base (R1)

22 kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

47 kOhms

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

70 @ 5mA, 5V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 10mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA (ICBO)

Frequenza - Transizione

150MHz

Potenza - Max

250mW

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-723

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TSFP-3

BCR555E6327HTSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo di transistor

PNP - Pre-Biased

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

500mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Resistenza - Base (R1)

2.2 kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

10 kOhms

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

70 @ 50mA, 5V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 2.5mA, 50mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA (ICBO)

Frequenza - Transizione

150MHz

Potenza - Max

330mW

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

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Corrente - Collettore (Ic) (Max)

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Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Resistenza - Base (R1)

22 kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

47 kOhms

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

80 @ 10mA, 5V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

150mV @ 250µA, 5mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

500nA

Frequenza - Transizione

-

Potenza - Max

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4.7 kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

-

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100 @ 1mA, 5V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 250µA, 2.5mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

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