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BCP 54-16 H6779

BCP 54-16 H6779

Solo per riferimento

Numero parte BCP 54-16 H6779
PNEDA Part # BCP-54-16-H6779
Descrizione TRANS NPN 45V 1A SOT223
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.668
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 17 - mag 22 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

BCP 54-16 H6779 Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteBCP 54-16 H6779
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - Singolo
Datasheet
BCP 54-16 H6779, BCP 54-16 H6779 Datasheet (Totale pagine: 7, Dimensioni: 821,95 KB)
PDFBCP5616E6327HTSA1 Datasheet Copertura
BCP5616E6327HTSA1 Datasheet Pagina 2 BCP5616E6327HTSA1 Datasheet Pagina 3 BCP5616E6327HTSA1 Datasheet Pagina 4 BCP5616E6327HTSA1 Datasheet Pagina 5 BCP5616E6327HTSA1 Datasheet Pagina 6 BCP5616E6327HTSA1 Datasheet Pagina 7

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BCP 54-16 H6779 Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
Serie-
Tipo di transistorNPN
Corrente - Collettore (Ic) (Max)1A
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)45V
Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic500mV @ 50mA, 500mA
Corrente - Taglio collettore (Max)100nA (ICBO)
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce100 @ 150mA, 2V
Potenza - Max2W
Frequenza - Transizione100MHz
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaTO-261-4, TO-261AA
Pacchetto dispositivo fornitorePG-SOT223-4

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Produttore

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-

Tipo di transistor

PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

3A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

60V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 150mA, 3A

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

160 @ 1A, 2V

Potenza - Max

1.6W

Frequenza - Transizione

130MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-261-4, TO-261AA

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-223

PN2907A_J18Z

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

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Tipo di transistor

PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

800mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

60V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

1.6V @ 50mA, 500mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

20nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 150mA, 10V

Potenza - Max

625mW

Frequenza - Transizione

200MHz

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

3A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

800V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 140mA, 700mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

100µA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

10 @ 700mA, 4V

Potenza - Max

35W

Frequenza - Transizione

15MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

32V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

550mV @ 1.25mA, 50mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

20nA

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

120 @ 2mA, 5V

Potenza - Max

350mW

Frequenza - Transizione

125MHz

Temperatura di esercizio

-

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Surface Mount

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80V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

2.5V @ 8mA, 2A

Corrente - Taglio collettore (Max)

10µA

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

500 @ 2A, 4V

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Frequenza - Transizione

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