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BC847PNQ-7R-F

BC847PNQ-7R-F

Solo per riferimento

Numero parte BC847PNQ-7R-F
PNEDA Part # BC847PNQ-7R-F
Descrizione TRANS NPN/PNP 45V 100MA SOT363
Produttore Diodes Incorporated
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.816
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 25 - apr 30 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

BC847PNQ-7R-F Risorse

Brand Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteBC847PNQ-7R-F
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - Array
Datasheet
BC847PNQ-7R-F, BC847PNQ-7R-F Datasheet (Totale pagine: 6, Dimensioni: 485,77 KB)
PDFBC847PNQ-7R-F Datasheet Copertura
BC847PNQ-7R-F Datasheet Pagina 2 BC847PNQ-7R-F Datasheet Pagina 3 BC847PNQ-7R-F Datasheet Pagina 4 BC847PNQ-7R-F Datasheet Pagina 5 BC847PNQ-7R-F Datasheet Pagina 6

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BC847PNQ-7R-F Specifiche

ProduttoreDiodes Incorporated
SerieAutomotive, AEC-Q101
Tipo di transistorNPN, PNP Complementary
Corrente - Collettore (Ic) (Max)100mA
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)45V
Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic600mV @ 5mA, 100mA
Corrente - Taglio collettore (Max)15nA (ICBO)
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce200 @ 2mA, 5V
Potenza - Max200mW
Frequenza - Transizione300MHz
Temperatura di esercizio-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-363

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Tipo di transistor

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Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

45V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

700mV @ 50mA, 500mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

160 @ 100mA, 1V

Potenza - Max

350mW

Frequenza - Transizione

80MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-XFDFN Exposed Pad

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2 NPN (Dual)

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

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45V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

700mV @ 50mA, 500mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

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350mW

Frequenza - Transizione

100MHz

Temperatura di esercizio

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Tipo di transistor

2 NPN (Dual)

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

30mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

60V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 100µA, 1mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

10µA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

150 @ 1mA, 5V

Potenza - Max

350mW

Frequenza - Transizione

-

Temperatura di esercizio

200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

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Produttore

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Tipo di transistor

2 PNP (Dual)

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

120V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 1mA, 10mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

200 @ 2mA, 6V

Potenza - Max

300mW

Frequenza - Transizione

100MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

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Corrente - Collettore (Ic) (Max)

200mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

150V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 5mA, 50mA

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