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BC847BDW1T1G

BC847BDW1T1G

Solo per riferimento

Numero parte BC847BDW1T1G
PNEDA Part # BC847BDW1T1G
Descrizione TRANS 2NPN 45V 0.1A SOT363
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 320.694
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 30 - mag 5 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

BC847BDW1T1G Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteBC847BDW1T1G
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - Array
Datasheet
BC847BDW1T1G, BC847BDW1T1G Datasheet (Totale pagine: 13, Dimensioni: 177,52 KB)
PDFNSVBC848CDW1T1G Datasheet Copertura
NSVBC848CDW1T1G Datasheet Pagina 2 NSVBC848CDW1T1G Datasheet Pagina 3 NSVBC848CDW1T1G Datasheet Pagina 4 NSVBC848CDW1T1G Datasheet Pagina 5 NSVBC848CDW1T1G Datasheet Pagina 6 NSVBC848CDW1T1G Datasheet Pagina 7 NSVBC848CDW1T1G Datasheet Pagina 8 NSVBC848CDW1T1G Datasheet Pagina 9 NSVBC848CDW1T1G Datasheet Pagina 10 NSVBC848CDW1T1G Datasheet Pagina 11

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BC847BDW1T1G Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo di transistor2 NPN (Dual)
Corrente - Collettore (Ic) (Max)100mA
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)45V
Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic600mV @ 5mA, 100mA
Corrente - Taglio collettore (Max)15nA (ICBO)
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce200 @ 2mA, 5V
Potenza - Max380mW
Frequenza - Transizione100MHz
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pacchetto dispositivo fornitoreSC-88/SC70-6/SOT-363

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Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Tipo di transistor

2 PNP (Dual)

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

150mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 10mA, 100mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

200 @ 2mA, 6V

Potenza - Max

100mW

Frequenza - Transizione

80MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-563, SOT-666

Pacchetto dispositivo fornitore

ES6

2N5793

Central Semiconductor Corp

Produttore

Central Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di transistor

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

-

Corrente - Taglio collettore (Max)

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

-

Potenza - Max

-

Frequenza - Transizione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-78-6 Metal Can

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-78-6

IMX8-7-F

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo di transistor

2 NPN (Dual)

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

50mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

120V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 1mA, 10mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

500nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

180 @ 2mA, 6V

Potenza - Max

300mW

Frequenza - Transizione

140MHz

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-23-6

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-26

ZXTD618MCTA

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo di transistor

2 NPN (Dual)

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

5A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

20V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 125mA, 4.5A

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

300 @ 200mA, 2V

Potenza - Max

1.7W

Frequenza - Transizione

100MHz

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-VDFN Exposed Pad

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Tipo di transistor

2 NPN (Dual)

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

200mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

20V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 10mA, 100mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

120 @ 1mA, 2V

Potenza - Max

150mW

Frequenza - Transizione

400MHz

Temperatura di esercizio

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