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BC637_L34Z

BC637_L34Z

Solo per riferimento

Numero parte BC637_L34Z
PNEDA Part # BC637_L34Z
Descrizione TRANS NPN 60V 1A TO-92
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.564
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
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BC637_L34Z Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteBC637_L34Z
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - Singolo
Datasheet
BC637_L34Z, BC637_L34Z Datasheet (Totale pagine: 4, Dimensioni: 55,87 KB)
PDFBC639_J35Z Datasheet Copertura
BC639_J35Z Datasheet Pagina 2 BC639_J35Z Datasheet Pagina 3 BC639_J35Z Datasheet Pagina 4

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BC637_L34Z Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo di transistorNPN
Corrente - Collettore (Ic) (Max)1A
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)60V
Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic500mV @ 50mA, 500mA
Corrente - Taglio collettore (Max)100nA (ICBO)
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce40 @ 150mA, 2V
Potenza - Max1W
Frequenza - Transizione100MHz
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-92-3

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Nexperia

Produttore

Nexperia USA Inc.

Serie

-

Tipo di transistor

PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

2A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

20V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 100mA, 1A

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

160 @ 500mA, 1V

Potenza - Max

650mW

Frequenza - Transizione

140MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-261-4, TO-261AA

Pacchetto dispositivo fornitore

SC-73

BC858BE6433HTMA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo di transistor

PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

30V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

650mV @ 5mA, 100mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

15nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

220 @ 2mA, 5V

Potenza - Max

330mW

Frequenza - Transizione

250MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-23-3

BC636TF

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

1A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

45V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 50mA, 500mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

40 @ 150mA, 2V

Potenza - Max

1W

Frequenza - Transizione

100MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92-3

CJD13003 TR13

Central Semiconductor Corp

Produttore

Central Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

1.5A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

400V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

3V @ 500mA, 1.5A

Corrente - Taglio collettore (Max)

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

5 @ 1A, 2V

Potenza - Max

1.56W

Frequenza - Transizione

4MHz

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Pacchetto dispositivo fornitore

DPAK

Produttore

NXP USA Inc.

Serie

-

Tipo di transistor

PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

30V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

650mV @ 5mA, 100mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

15nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

420 @ 2mA, 5V

Potenza - Max

500mW

Frequenza - Transizione

100MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Pacchetto dispositivo fornitore

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