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BAT1502ELE6327XTMA1

BAT1502ELE6327XTMA1

Solo per riferimento

Numero parte BAT1502ELE6327XTMA1
PNEDA Part # BAT1502ELE6327XTMA1
Descrizione DIODE SCHOTTKY 4V 110MA TSLP-2
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.876
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 12 - giu 17 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

BAT1502ELE6327XTMA1 Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteBAT1502ELE6327XTMA1
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Singoli

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BAT1502ELE6327XTMA1 Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
Serie-
Tipo di diodoSchottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)4V
Corrente - Media Rettificata (Io)110mA (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If410mV @ 10mA
VelocitàSmall Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Tempo di recupero inverso (trr)-
Corrente - Perdita inversa @ Vr5µA @ 1V
Capacità @ Vr, F350pF @ 0V, 1MHz
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia2-XDFN
Pacchetto dispositivo fornitorePG-TSLP-2-19
Temperatura di esercizio - Giunzione-55°C ~ 150°C

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Taiwan Semiconductor Corporation

Produttore

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

Automotive, AEC-Q101

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

600V

Corrente - Media Rettificata (Io)

800mA

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.3V @ 800mA

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

250ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 600V

Capacità @ Vr, F

10pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

DO-219AB

Pacchetto dispositivo fornitore

Sub SMA

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

MBR8060

GeneSiC Semiconductor

Produttore

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

60V

Corrente - Media Rettificata (Io)

80A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

750mV @ 80A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5mA @ 20V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Chassis, Stud Mount

Pacchetto / Custodia

DO-203AB, DO-5, Stud

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-5

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

MBRB7H60-E3/45

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

Automotive, AEC-Q101

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

60V

Corrente - Media Rettificata (Io)

7.5A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

730mV @ 7.5A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

50µA @ 60V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-263 (D2Pak)

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 175°C

S1JHE

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

Automotive, AEC-Q101

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

600V

Corrente - Media Rettificata (Io)

1A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 1A

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

782ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

1µA @ 600V

Capacità @ Vr, F

3pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

2-SMD, Flat Lead

Pacchetto dispositivo fornitore

SOD-323HE

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 175°C

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Produttore

Microsemi Corporation

Serie

*

Tipo di diodo

-

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

-

Corrente - Media Rettificata (Io)

-

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

-

Velocità

-

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

-

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

Temperatura di esercizio - Giunzione

-

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