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BAS85 L1

BAS85 L1

Solo per riferimento

Numero parte BAS85 L1
PNEDA Part # BAS85-L1
Descrizione DIODE SCHOTTKY MINIMELF
Produttore Taiwan Semiconductor Corporation
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.124
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 13 - giu 18 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

BAS85 L1 Risorse

Brand Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteBAS85 L1
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Singoli

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BAS85 L1 Specifiche

ProduttoreTaiwan Semiconductor Corporation
Serie-
Tipo di diodoSchottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)30V
Corrente - Media Rettificata (Io)200mA
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If800mV @ 100mA
VelocitàSmall Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Tempo di recupero inverso (trr)5ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr2µA @ 25V
Capacità @ Vr, F10pF @ 1V, 1MHz
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaDO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
Pacchetto dispositivo fornitoreMini MELF
Temperatura di esercizio - Giunzione125°C (Max)

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Produttore

Panasonic Electronic Components

Serie

-

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

40V

Corrente - Media Rettificata (Io)

5A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

600mV @ 5A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

45ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

100µA @ 40V

Capacità @ Vr, F

140pF @ 10V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

0606 (1616 Metric)

Pacchetto dispositivo fornitore

DCSP1616010-N1

Temperatura di esercizio - Giunzione

150°C (Max)

CMF04(TE12L,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

800V

Corrente - Media Rettificata (Io)

500mA

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

2.5V @ 500mA

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

100ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

50µA @ 800V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOD-128

Pacchetto dispositivo fornitore

M-FLAT (2.4x3.8)

Temperatura di esercizio - Giunzione

-40°C ~ 150°C

BAS3010S02LRHE6327XTSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

30V

Corrente - Media Rettificata (Io)

1A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

650mV @ 1A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

300µA @ 30V

Capacità @ Vr, F

15pF @ 5V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOD-882

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TSLP-2

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

SS2PH9-M3/85A

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

eSMP®

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

90V

Corrente - Media Rettificata (Io)

2A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

800mV @ 2A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

1µA @ 90V

Capacità @ Vr, F

65pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

DO-220AA

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-220AA (SMP)

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 175°C

SK315B M4G

Taiwan Semiconductor Corporation

Produttore

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

150V

Corrente - Media Rettificata (Io)

3A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

950mV @ 3A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

100µA @ 150V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

DO-214AA (SMB)

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

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