BAS216,135
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| Numero parte | BAS216,135 |
| PNEDA Part # | BAS216-135 |
| Descrizione | DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD2 |
| Produttore | NXP |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 2.862 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 1 - mag 6 (Scegli Spedizione rapida) |
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BAS216 Risorse
| Brand | NXP |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | BAS216,135 |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
| Datasheet |
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BAS216 Specifiche
| Produttore | NXP USA Inc. |
| Serie | - |
| Tipo di diodo | Standard |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 75V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 250mA (DC) |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 1.25V @ 150mA |
| Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 4ns |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1µA @ 75V |
| Capacità @ Vr, F | 1.5pF @ 0V, 1MHz |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | SOD-110 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SOD110 |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | 150°C (Max) |
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Produttore Diodes Incorporated Serie Automotive, AEC-Q101 Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 30V Corrente - Media Rettificata (Io) 2A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 450mV @ 2A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 1.5mA @ 30V Capacità @ Vr, F 40pF @ 10V, 1MHz Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia PowerDI™ 323 Pacchetto dispositivo fornitore PowerDI™ 323 Temperatura di esercizio - Giunzione -65°C ~ 125°C |
