BAS20-G3-18
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| Numero parte | BAS20-G3-18 |
| PNEDA Part # | BAS20-G3-18 |
| Descrizione | DIODE GEN PURP 150V 200MA SOT23 |
| Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 5.400 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | giu 15 - giu 20 (Scegli Spedizione rapida) |
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BAS20-G3-18 Risorse
| Brand | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | BAS20-G3-18 |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
| Datasheet |
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BAS20-G3-18 Specifiche
| Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 |
| Tipo di diodo | Standard |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 150V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 200mA |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 1.25V @ 200mA |
| Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 50ns |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100nA @ 150V |
| Capacità @ Vr, F | 5pF @ 0V, 1MHz |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23 |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
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Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 50V Corrente - Media Rettificata (Io) 16A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 730mV @ 16A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 100µA @ 50V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Pacchetto dispositivo fornitore TO-263AB Temperatura di esercizio - Giunzione -65°C ~ 175°C |
Produttore Littelfuse Inc. Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 400V Corrente - Media Rettificata (Io) 9.5A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.6V @ 9.5A Velocità Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 4µs Corrente - Perdita inversa @ Vr 10µA @ 400V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-220-3 Isolated Tab Pacchetto dispositivo fornitore TO-220 Isolated Tab Temperatura di esercizio - Giunzione -40°C ~ 125°C |
Produttore Taiwan Semiconductor Corporation Serie - Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 50V Corrente - Media Rettificata (Io) 3A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 700mV @ 3A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 500µA @ 50V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia DO-201AD, Axial Pacchetto dispositivo fornitore DO-201AD Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C |
Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 35V Corrente - Media Rettificata (Io) 30A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 700mV @ 30A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 200µA @ 35V Capacità @ Vr, F 980pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Pacchetto dispositivo fornitore TO-263AB Temperatura di esercizio - Giunzione -65°C ~ 150°C |
Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie Automotive, AEC-Q101 Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 600V Corrente - Media Rettificata (Io) 1.6A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.05V @ 2A Velocità Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 1.2µs Corrente - Perdita inversa @ Vr 5µA @ 600V Capacità @ Vr, F 13pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia DO-220AA Pacchetto dispositivo fornitore DO-220AA (SMP) Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 175°C |
