AUIRS20302STR
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| Numero parte | AUIRS20302STR |
| PNEDA Part # | AUIRS20302STR |
| Descrizione | IC GATE DRIVE AUTOMOTIVE 28SOIC |
| Produttore | Infineon Technologies |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 24.092 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 20 - mag 25 (Scegli Spedizione rapida) |
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AUIRS20302STR Risorse
| Brand | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | AUIRS20302STR |
| Categoria | Semiconduttori › CI di gestione dell'alimentazione › PMIC - Gate driver |
| Datasheet |
AUIRS20302STR, AUIRS20302STR Datasheet
(Totale pagine: 28, Dimensioni: 786,27 KB)
  
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AUIRS20302STR Specifiche
| Produttore | Infineon Technologies |
| Serie | Automotive, AEC-Q100 |
| Configurazione guidata | Half-Bridge |
| Tipo di canale | 3-Phase |
| Numero di driver | 6 |
| Tipo di porta | N-Channel MOSFET |
| Tensione - Alimentazione | 24V ~ 150V |
| Tensione logica - VIL, VIH | 0.7V, 2.5V |
| Corrente - Uscita di picco (Source, Sink) | 200mA, 350mA |
| Tipo di ingresso | Non-Inverting |
| High Side Voltage - Max (Bootstrap) | 200V |
| Tempo di salita / discesa (tipico) | 100ns, 35ns |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C (TA) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 28-SOIC |
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Produttore ON Semiconductor Serie - Configurazione guidata Half-Bridge Tipo di canale Synchronous Numero di driver 2 Tipo di porta IGBT, N-Channel MOSFET Tensione - Alimentazione 10V ~ 20V Tensione logica - VIL, VIH 0.8V, 2.3V Corrente - Uscita di picco (Source, Sink) 250mA, 500mA Tipo di ingresso Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) 600V Tempo di salita / discesa (tipico) 85ns, 35ns Temperatura di esercizio -40°C ~ 125°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SOIC |
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Produttore ON Semiconductor Serie - Configurazione guidata Half-Bridge Tipo di canale Independent Numero di driver 2 Tipo di porta IGBT, N-Channel MOSFET Tensione - Alimentazione 10V ~ 22V Tensione logica - VIL, VIH 1.2V, 2.5V Corrente - Uscita di picco (Source, Sink) 4.5A, 4.5A Tipo di ingresso Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) 600V Tempo di salita / discesa (tipico) 25ns, 20ns Temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia 8-DIP (0.300", 7.62mm) Pacchetto dispositivo fornitore 8-DIP |
