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AUIRS20162STR

AUIRS20162STR

Solo per riferimento

Numero parte AUIRS20162STR
PNEDA Part # AUIRS20162STR
Descrizione IC GATE DRVR HIGH SIDE 8SOIC
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.550
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 21 - mag 26 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

AUIRS20162STR Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAUIRS20162STR
CategoriaSemiconduttoriCI di gestione dell'alimentazionePMIC - Gate driver
Datasheet
AUIRS20162STR, AUIRS20162STR Datasheet (Totale pagine: 20, Dimensioni: 542,37 KB)
PDFAUIRS20162STR Datasheet Copertura
AUIRS20162STR Datasheet Pagina 2 AUIRS20162STR Datasheet Pagina 3 AUIRS20162STR Datasheet Pagina 4 AUIRS20162STR Datasheet Pagina 5 AUIRS20162STR Datasheet Pagina 6 AUIRS20162STR Datasheet Pagina 7 AUIRS20162STR Datasheet Pagina 8 AUIRS20162STR Datasheet Pagina 9 AUIRS20162STR Datasheet Pagina 10 AUIRS20162STR Datasheet Pagina 11

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AUIRS20162STR Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
SerieAutomotive, AEC-Q100
Configurazione guidataHigh-Side
Tipo di canaleSingle
Numero di driver1
Tipo di portaN-Channel MOSFET
Tensione - Alimentazione4.4V ~ 20V
Tensione logica - VIL, VIH-
Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)250mA, 250mA
Tipo di ingressoNon-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap)150V
Tempo di salita / discesa (tipico)200ns, 200ns
Temperatura di esercizio-55°C ~ 155°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SOIC

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Configurazione guidata

Low-Side

Tipo di canale

Single

Numero di driver

1

Tipo di porta

N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 18V

Tensione logica - VIL, VIH

-

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

10.6A, 11.4A

Tipo di ingresso

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Tempo di salita / discesa (tipico)

23ns, 19ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

LM5104SDX

Texas Instruments

Produttore

Serie

-

Configurazione guidata

Half-Bridge

Tipo di canale

Synchronous

Numero di driver

2

Tipo di porta

N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

9V ~ 14V

Tensione logica - VIL, VIH

0.8V, 2.2V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

1.6A, 1.6A

Tipo di ingresso

Inverting, Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

118V

Tempo di salita / discesa (tipico)

600ns, 600ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

10-WSON (4x4)

UCC27712DR

Texas Instruments

Produttore

Serie

-

Configurazione guidata

Half-Bridge

Tipo di canale

Synchronous

Numero di driver

2

Tipo di porta

IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

10V ~ 20V

Tensione logica - VIL, VIH

1.5V, 1.6V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

1.8A, 2.8A

Tipo di ingresso

-

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

700V

Tempo di salita / discesa (tipico)

16ns, 10ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

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Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Configurazione guidata

Low-Side

Tipo di canale

Independent

Numero di driver

2

Tipo di porta

N-Channel, P-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 16V

Tensione logica - VIL, VIH

0.8V, 3V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

1.2A, 1.2A

Tipo di ingresso

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Tempo di salita / discesa (tipico)

35ns, 25ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

8-DIP (0.300", 7.62mm)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-PDIP

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Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Configurazione guidata

Low-Side

Tipo di canale

Single

Numero di driver

1

Tipo di porta

IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 18V

Tensione logica - VIL, VIH

0.8V, 2.4V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

9A, 9A

Tipo di ingresso

Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Tempo di salita / discesa (tipico)

60ns, 60ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

8-DIP (0.300", 7.62mm)

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