AUIRFL014NTR
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| Numero parte | AUIRFL014NTR |
| PNEDA Part # | AUIRFL014NTR |
| Descrizione | MOSFET N-CH 55V 1.5A SOT-223 |
| Produttore | Infineon Technologies |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 7.614 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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AUIRFL014NTR Risorse
| Brand | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | AUIRFL014NTR |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
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AUIRFL014NTR Specifiche
| Produttore | Infineon Technologies |
| Serie | HEXFET® |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 55V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 1.5A (Ta) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 160mOhm @ 1.9A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 190pF @ 25V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 1W (Ta) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-223 |
| Pacchetto / Custodia | TO-261-4, TO-261AA |
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Produttore ON Semiconductor Serie QFET® Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 10A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 730mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 57nC @ 10V Vgs (massimo) ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2040pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 192W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore TO-3P Pacchetto / Custodia TO-3P-3, SC-65-3 |
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