AUIRF7799L2TR
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| Numero parte | AUIRF7799L2TR |
| PNEDA Part # | AUIRF7799L2TR |
| Descrizione | MOSFET N-CH 250V 35A DIRECTFET |
| Produttore | Infineon Technologies |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 3.024 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | giu 10 - giu 15 (Scegli Spedizione rapida) |
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AUIRF7799L2TR Risorse
| Brand | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | AUIRF7799L2TR |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
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AUIRF7799L2TR Specifiche
| Produttore | Infineon Technologies |
| Serie | HEXFET® |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 250V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 375A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 38mOhm @ 21A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 165nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±30V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 6714pF @ 25V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 4.3W (Ta), 125W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | DIRECTFET L8 |
| Pacchetto / Custodia | DirectFET™ Isometric L8 |
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