AUIRF7313Q
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| Numero parte | AUIRF7313Q |
| PNEDA Part # | AUIRF7313Q |
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SOIC |
| Produttore | Infineon Technologies |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 6.174 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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AUIRF7313Q Risorse
| Brand | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | AUIRF7313Q |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
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AUIRF7313Q Specifiche
| Produttore | Infineon Technologies |
| Serie | HEXFET® |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Funzione FET | Logic Level Gate |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 6.9A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 29mOhm @ 6.9A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 33nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 755pF @ 25V |
| Potenza - Max | 2.4W |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SO |
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Produttore Diodes Incorporated Serie - Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id 1.3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 56.5nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3315pF @ 6V Potenza - Max 2.67W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 6-SMD, No Lead Pacchetto dispositivo fornitore X3-DSN3518-6 |
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