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AT49LV002N-12PI

AT49LV002N-12PI

Solo per riferimento

Numero parte AT49LV002N-12PI
PNEDA Part # AT49LV002N-12PI
Descrizione IC FLASH 2M PARALLEL 32DIP
Produttore Microchip Technology
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.636
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 12 - giu 17 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

AT49LV002N-12PI Risorse

Brand Microchip Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAT49LV002N-12PI
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
AT49LV002N-12PI, AT49LV002N-12PI Datasheet (Totale pagine: 26, Dimensioni: 440,93 KB)
PDFAT49LV002T-70VI Datasheet Copertura
AT49LV002T-70VI Datasheet Pagina 2 AT49LV002T-70VI Datasheet Pagina 3 AT49LV002T-70VI Datasheet Pagina 4 AT49LV002T-70VI Datasheet Pagina 5 AT49LV002T-70VI Datasheet Pagina 6 AT49LV002T-70VI Datasheet Pagina 7 AT49LV002T-70VI Datasheet Pagina 8 AT49LV002T-70VI Datasheet Pagina 9 AT49LV002T-70VI Datasheet Pagina 10 AT49LV002T-70VI Datasheet Pagina 11

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AT49LV002N-12PI Specifiche

ProduttoreMicrochip Technology
Serie-
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaFLASH
TecnologiaFLASH
Dimensione della memoria2Mb (256K x 8)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock-
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina50µs
Tempo di accesso120ns
Tensione - Alimentazione3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TC)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / Custodia32-DIP (0.600", 15.24mm)
Pacchetto dispositivo fornitore32-PDIP

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Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, SDR

Dimensione della memoria

1Mb (32K x 32)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

8ns

Tensione - Alimentazione

3.135V ~ 3.63V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

100-LQFP

Pacchetto dispositivo fornitore

100-TQFP (14x14)

CAT24C32YI-G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

32Kb (4K x 8)

Interfaccia di memoria

I²C

Frequenza di clock

1MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

400ns

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-TSSOP

8 611 200 879

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Produttore

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Serie

*

Tipo di memoria

-

Formato memoria

-

Tecnologia

-

Dimensione della memoria

-

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

CY7C1356CV25-200AXCT

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

NoBL™

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, SDR

Dimensione della memoria

9Mb (512K x 18)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

200MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

3.2ns

Tensione - Alimentazione

2.375V ~ 2.625V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

100-LQFP

Pacchetto dispositivo fornitore

100-TQFP (14x20)

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Produttore

Winbond Electronics

Serie

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Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

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Dimensione della memoria

2Gb (128M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

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Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

20ns

Tensione - Alimentazione

1.425V ~ 1.575V

Temperatura di esercizio

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Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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