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AT49LD3200B-13TI

AT49LD3200B-13TI

Solo per riferimento

Numero parte AT49LD3200B-13TI
PNEDA Part # AT49LD3200B-13TI
Descrizione IC FLASH 32M PARALLEL 86TSOP II
Produttore Microchip Technology
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.042
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Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

AT49LD3200B-13TI Risorse

Brand Microchip Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAT49LD3200B-13TI
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
AT49LD3200B-13TI, AT49LD3200B-13TI Datasheet (Totale pagine: 39, Dimensioni: 453,66 KB)
PDFAT49LD3200B-20TI Datasheet Copertura
AT49LD3200B-20TI Datasheet Pagina 2 AT49LD3200B-20TI Datasheet Pagina 3 AT49LD3200B-20TI Datasheet Pagina 4 AT49LD3200B-20TI Datasheet Pagina 5 AT49LD3200B-20TI Datasheet Pagina 6 AT49LD3200B-20TI Datasheet Pagina 7 AT49LD3200B-20TI Datasheet Pagina 8 AT49LD3200B-20TI Datasheet Pagina 9 AT49LD3200B-20TI Datasheet Pagina 10 AT49LD3200B-20TI Datasheet Pagina 11

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AT49LD3200B-13TI Specifiche

ProduttoreMicrochip Technology
Serie-
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaFLASH
TecnologiaFLASH
Dimensione della memoria32Mb (1M x 32, 2M x 16)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock75MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina-
Tempo di accesso170ns
Tensione - Alimentazione3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TC)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore86-TSOP II

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Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

256Mb (16M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

66MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

70ns

Tempo di accesso

70ns

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 2V

Temperatura di esercizio

-30°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

79-VFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

79-VFBGA (9x11)

8 611 200 742

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

*

Tipo di memoria

-

Formato memoria

-

Tecnologia

-

Dimensione della memoria

-

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

CY14B101L-SZ45XIT

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

NVSRAM

Tecnologia

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

Dimensione della memoria

1Mb (128K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

45ns

Tempo di accesso

45ns

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

32-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

32-SOIC

MT46V64M8BN-6 L:F TR

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - DDR

Dimensione della memoria

512Mb (64M x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

167MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

700ps

Tensione - Alimentazione

2.3V ~ 2.7V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

60-TFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

60-FBGA (10x12.5)

MTFC4GMWDQ-AIT TR

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

e•MMC™

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NAND

Dimensione della memoria

32Gb (4G x 8)

Interfaccia di memoria

MMC

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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