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AT49BV640DT-70CU

AT49BV640DT-70CU

Solo per riferimento

Numero parte AT49BV640DT-70CU
PNEDA Part # AT49BV640DT-70CU
Descrizione IC FLASH 64M PARALLEL 48CBGA
Produttore Microchip Technology
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.568
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata lug 25 - lug 30 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

AT49BV640DT-70CU Risorse

Brand Microchip Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAT49BV640DT-70CU
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
AT49BV640DT-70CU, AT49BV640DT-70CU Datasheet (Totale pagine: 31, Dimensioni: 560,92 KB)
PDFAT49BV640DT-70CU Datasheet Copertura
AT49BV640DT-70CU Datasheet Pagina 2 AT49BV640DT-70CU Datasheet Pagina 3 AT49BV640DT-70CU Datasheet Pagina 4 AT49BV640DT-70CU Datasheet Pagina 5 AT49BV640DT-70CU Datasheet Pagina 6 AT49BV640DT-70CU Datasheet Pagina 7 AT49BV640DT-70CU Datasheet Pagina 8 AT49BV640DT-70CU Datasheet Pagina 9 AT49BV640DT-70CU Datasheet Pagina 10 AT49BV640DT-70CU Datasheet Pagina 11

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AT49BV640DT-70CU Specifiche

ProduttoreMicrochip Technology
Serie-
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaFLASH
TecnologiaFLASH
Dimensione della memoria64Mb (4M x 16)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock-
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina120µs
Tempo di accesso70ns
Tensione - Alimentazione2.65V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TC)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia48-VFBGA, CSPBGA
Pacchetto dispositivo fornitore48-CBGA (7x10)

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Produttore

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Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, SDR

Dimensione della memoria

4.5Mb (128K x 36)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

166MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

3.5ns

Tensione - Alimentazione

3.135V ~ 3.465V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

165-TBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

165-CABGA (13x15)

CY14B101KA-ZS45XI

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

NVSRAM

Tecnologia

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

Dimensione della memoria

1Mb (128K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

45ns

Tempo di accesso

45ns

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

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Maxim Integrated

Produttore

Maxim Integrated

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

NVSRAM

Tecnologia

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

Dimensione della memoria

256Kb (32K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

70ns

Tempo di accesso

70ns

Tensione - Alimentazione

4.75V ~ 5.25V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

28-DIP Module (0.600", 15.24mm)

Pacchetto dispositivo fornitore

28-EDIP

70V25L35PFI8

IDT, Integrated Device Technology

Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Dimensione della memoria

128Kb (8K x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

35ns

Tempo di accesso

35ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

100-LQFP

Pacchetto dispositivo fornitore

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AT24C16N-10SC

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

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Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

16Kb (2K x 8)

Interfaccia di memoria

I²C

Frequenza di clock

400kHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

900ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

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