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AT49BV322D-70CU

AT49BV322D-70CU

Solo per riferimento

Numero parte AT49BV322D-70CU
PNEDA Part # AT49BV322D-70CU
Descrizione IC FLASH 32M PARALLEL 48CBGA
Produttore Microchip Technology
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.586
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Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

AT49BV322D-70CU Risorse

Brand Microchip Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAT49BV322D-70CU
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
AT49BV322D-70CU, AT49BV322D-70CU Datasheet (Totale pagine: 33, Dimensioni: 868,19 KB)
PDFAT49BV322DT-70TU-T Datasheet Copertura
AT49BV322DT-70TU-T Datasheet Pagina 2 AT49BV322DT-70TU-T Datasheet Pagina 3 AT49BV322DT-70TU-T Datasheet Pagina 4 AT49BV322DT-70TU-T Datasheet Pagina 5 AT49BV322DT-70TU-T Datasheet Pagina 6 AT49BV322DT-70TU-T Datasheet Pagina 7 AT49BV322DT-70TU-T Datasheet Pagina 8 AT49BV322DT-70TU-T Datasheet Pagina 9 AT49BV322DT-70TU-T Datasheet Pagina 10 AT49BV322DT-70TU-T Datasheet Pagina 11

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AT49BV322D-70CU Specifiche

ProduttoreMicrochip Technology
Serie-
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaFLASH
TecnologiaFLASH
Dimensione della memoria32Mb (2M x 16)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock-
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina120µs
Tempo di accesso70ns
Tensione - Alimentazione2.65V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TC)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia48-TFBGA, CSPBGA
Pacchetto dispositivo fornitore48-CBGA (6x8)

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Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

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Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

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Tecnologia

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Dimensione della memoria

16Mb (2M x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

10ns

Tempo di accesso

10ns

Tensione - Alimentazione

2.4V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

44-TSOP II

SM662GEC-ACS

Silicon Motion, Inc.

Produttore

Silicon Motion, Inc.

Serie

*

Tipo di memoria

-

Formato memoria

-

Tecnologia

-

Dimensione della memoria

-

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

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Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - Mobile LPDDR4

Dimensione della memoria

12Gb (384M x 32)

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

1.866GHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

0.6V, 1.1V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 95°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

AS7C31025C-12TJINTR

Alliance Memory, Inc.

Produttore

Alliance Memory, Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Asynchronous

Dimensione della memoria

1Mb (128K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

12ns

Tempo di accesso

12ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

32-BSOJ (0.300", 7.62mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

32-SOJ

IS42VM32160E-6BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - Mobile

Dimensione della memoria

512Mb (16M x 32)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

166MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

5.5ns

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.95V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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