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AT45DB641E-MWHN-Y

AT45DB641E-MWHN-Y

Solo per riferimento

Numero parte AT45DB641E-MWHN-Y
PNEDA Part # AT45DB641E-MWHN-Y
Descrizione IC FLASH 64M SPI 85MHZ 8VDFN
Produttore Adesto Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 203
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 7 - mag 12 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

AT45DB641E-MWHN-Y Risorse

Brand Adesto Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAT45DB641E-MWHN-Y
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
AT45DB641E-MWHN-Y, AT45DB641E-MWHN-Y Datasheet (Totale pagine: 72, Dimensioni: 2.740,84 KB)
PDFAT45DB641E-CCUN2B-T Datasheet Copertura
AT45DB641E-CCUN2B-T Datasheet Pagina 2 AT45DB641E-CCUN2B-T Datasheet Pagina 3 AT45DB641E-CCUN2B-T Datasheet Pagina 4 AT45DB641E-CCUN2B-T Datasheet Pagina 5 AT45DB641E-CCUN2B-T Datasheet Pagina 6 AT45DB641E-CCUN2B-T Datasheet Pagina 7 AT45DB641E-CCUN2B-T Datasheet Pagina 8 AT45DB641E-CCUN2B-T Datasheet Pagina 9 AT45DB641E-CCUN2B-T Datasheet Pagina 10 AT45DB641E-CCUN2B-T Datasheet Pagina 11

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AT45DB641E-MWHN-Y Specifiche

ProduttoreAdesto Technologies
Serie-
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaFLASH
TecnologiaFLASH
Dimensione della memoria64Mb (264 Bytes x 32K pages)
Interfaccia di memoriaSPI
Frequenza di clock85MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina8µs, 5ms
Tempo di accesso-
Tensione - Alimentazione1.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TC)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-VDFN Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitore8-VDFN (6x8)

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Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

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Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, SDR

Dimensione della memoria

4.5Mb (128K x 36)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

133MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

4ns

Tensione - Alimentazione

3.135V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

100-LQFP

Pacchetto dispositivo fornitore

100-TQFP (14x20)

MT45W4MW16PBA-70 IT TR

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

PSRAM

Tecnologia

PSRAM (Pseudo SRAM)

Dimensione della memoria

64Mb (4M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

70ns

Tempo di accesso

70ns

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.95V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

48-VFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

48-VFBGA (6x8)

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Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, SDR

Dimensione della memoria

18Mb (512K x 36)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

200MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

3.1ns

Tensione - Alimentazione

2.375V ~ 2.625V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

100-LQFP

Pacchetto dispositivo fornitore

100-TQFP (14x20)

BR24G512FVT-3AGE2

Rohm Semiconductor

Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

512Kb (64K x 8)

Interfaccia di memoria

I²C

Frequenza di clock

1MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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25LC640T-I/SN

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Produttore

Microchip Technology

Serie

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Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

64Kb (8K x 8)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

2MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

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Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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