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AT45DB321E-MWHF-Y

AT45DB321E-MWHF-Y

Solo per riferimento

Numero parte AT45DB321E-MWHF-Y
PNEDA Part # AT45DB321E-MWHF-Y
Descrizione IC FLASH 32M SPI 85MHZ 8VDFN
Produttore Adesto Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.536
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 26 - mag 31 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

AT45DB321E-MWHF-Y Risorse

Brand Adesto Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAT45DB321E-MWHF-Y
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
AT45DB321E-MWHF-Y, AT45DB321E-MWHF-Y Datasheet (Totale pagine: 70, Dimensioni: 2.489,09 KB)
PDFAT45DB321E-CCUF-T Datasheet Copertura
AT45DB321E-CCUF-T Datasheet Pagina 2 AT45DB321E-CCUF-T Datasheet Pagina 3 AT45DB321E-CCUF-T Datasheet Pagina 4 AT45DB321E-CCUF-T Datasheet Pagina 5 AT45DB321E-CCUF-T Datasheet Pagina 6 AT45DB321E-CCUF-T Datasheet Pagina 7 AT45DB321E-CCUF-T Datasheet Pagina 8 AT45DB321E-CCUF-T Datasheet Pagina 9 AT45DB321E-CCUF-T Datasheet Pagina 10 AT45DB321E-CCUF-T Datasheet Pagina 11

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AT45DB321E-MWHF-Y Specifiche

ProduttoreAdesto Technologies
Serie-
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaFLASH
TecnologiaFLASH
Dimensione della memoria32Mb (528 Bytes x 8192 pages)
Interfaccia di memoriaSPI
Frequenza di clock85MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina8µs, 4ms
Tempo di accesso-
Tensione - Alimentazione2.3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TC)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-VDFN Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitore8-VDFN (6x8)

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Serie

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Tipo di memoria

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Formato memoria

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Tecnologia

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Dimensione della memoria

-

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

CY7C168A-20PXC

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Asynchronous

Dimensione della memoria

16Kb (4K x 4)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

20ns

Tempo di accesso

20ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

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Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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Produttore

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Tipo di memoria

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Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

4Kb (256 x 16)

Interfaccia di memoria

1-Wire®

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

2µs

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

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Pacchetto / Custodia

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Produttore

Microchip Technology

Serie

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Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH

Dimensione della memoria

1Mb (128K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

50µs

Tempo di accesso

90ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Tipo di memoria

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Formato memoria

SRAM

Tecnologia

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Dimensione della memoria

18Mb (512K x 36)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

117MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

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Tempo di accesso

7.5ns

Tensione - Alimentazione

2.375V ~ 2.625V

Temperatura di esercizio

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Tipo di montaggio

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