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AT45DB321B-RC

AT45DB321B-RC

Solo per riferimento

Numero parte AT45DB321B-RC
PNEDA Part # AT45DB321B-RC
Descrizione IC FLASH 32M SPI 20MHZ 28SOIC
Produttore Microchip Technology
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.222
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 7 - giu 12 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

AT45DB321B-RC Risorse

Brand Microchip Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAT45DB321B-RC
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
AT45DB321B-RC, AT45DB321B-RC Datasheet (Totale pagine: 32, Dimensioni: 230,21 KB)
PDFAT45DB321B-RI Datasheet Copertura
AT45DB321B-RI Datasheet Pagina 2 AT45DB321B-RI Datasheet Pagina 3 AT45DB321B-RI Datasheet Pagina 4 AT45DB321B-RI Datasheet Pagina 5 AT45DB321B-RI Datasheet Pagina 6 AT45DB321B-RI Datasheet Pagina 7 AT45DB321B-RI Datasheet Pagina 8 AT45DB321B-RI Datasheet Pagina 9 AT45DB321B-RI Datasheet Pagina 10 AT45DB321B-RI Datasheet Pagina 11

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AT45DB321B-RC Specifiche

ProduttoreMicrochip Technology
Serie-
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaFLASH
TecnologiaFLASH
Dimensione della memoria32Mb (528 Bytes x 8192 pages)
Interfaccia di memoriaSPI
Frequenza di clock20MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina14ms
Tempo di accesso-
Tensione - Alimentazione2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio0°C ~ 70°C (TC)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia28-SOIC (0.342", 8.69mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore28-SOIC

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Produttore

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Serie

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Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

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Dimensione della memoria

1.152Mb (32K x 36)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

83MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

6ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

172-LFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

172-FBGA (15x15)

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Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - Mobile LPSDR

Dimensione della memoria

128Mb (4M x 32)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

100MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

7ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

90-VFBGA (8x13)

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Produttore

Winbond Electronics

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

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Dimensione della memoria

1Gb (64M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

800MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

20ns

Tensione - Alimentazione

1.283V ~ 1.45V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 95°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

GL-P

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

512Mb (32M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

110ns

Tempo di accesso

110ns

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

56-TSOP

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Produttore

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Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH

Dimensione della memoria

2Mb (256K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

20µs

Tempo di accesso

55ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

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Pacchetto / Custodia

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