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AT45DB161D-CU

AT45DB161D-CU

Solo per riferimento

Numero parte AT45DB161D-CU
PNEDA Part # AT45DB161D-CU
Descrizione IC FLASH 16M SPI 66MHZ 24CBGA
Produttore Microchip Technology
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.276
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

AT45DB161D-CU Risorse

Brand Microchip Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAT45DB161D-CU
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
AT45DB161D-CU, AT45DB161D-CU Datasheet (Totale pagine: 51, Dimensioni: 2.128,61 KB)
PDFAT45DB161D-CCU Datasheet Copertura
AT45DB161D-CCU Datasheet Pagina 2 AT45DB161D-CCU Datasheet Pagina 3 AT45DB161D-CCU Datasheet Pagina 4 AT45DB161D-CCU Datasheet Pagina 5 AT45DB161D-CCU Datasheet Pagina 6 AT45DB161D-CCU Datasheet Pagina 7 AT45DB161D-CCU Datasheet Pagina 8 AT45DB161D-CCU Datasheet Pagina 9 AT45DB161D-CCU Datasheet Pagina 10 AT45DB161D-CCU Datasheet Pagina 11

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AT45DB161D-CU Specifiche

ProduttoreMicrochip Technology
Serie-
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaFLASH
TecnologiaFLASH
Dimensione della memoria16Mb (528 Bytes x 4096 pages)
Interfaccia di memoriaSPI
Frequenza di clock66MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina6ms
Tempo di accesso-
Tensione - Alimentazione2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TC)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia24-LBGA, CSPBGA
Pacchetto dispositivo fornitore24-CBGA (6x8)

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Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Asynchronous

Dimensione della memoria

4Mb (256K x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

15ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

44-TSOP II

5962-9232404MXA

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

NVSRAM

Tecnologia

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

Dimensione della memoria

64Kb (8K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

55ns

Tempo di accesso

55ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 125°C (TA)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

28-CDIP (0.300", 7.62mm)

Pacchetto dispositivo fornitore

28-CDIP

BR25A512FVT-3MGE2

Rohm Semiconductor

Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

512Kb (64K x 8)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

10MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 105°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-TSSOP-B

CAT25040VI-GT3

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

4Kb (512 x 8)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

20MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.8V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

CY7C1313KV18-250BZCT

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, QDR II

Dimensione della memoria

18Mb (1M x 18)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

250MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.9V

Temperatura di esercizio

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Tipo di montaggio

Surface Mount

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