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AT45DB021E-UUN2B-T

AT45DB021E-UUN2B-T

Solo per riferimento

Numero parte AT45DB021E-UUN2B-T
PNEDA Part # AT45DB021E-UUN2B-T
Descrizione IC FLASH 2M SPI 70MHZ 8WLCSP
Produttore Adesto Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.286
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata lug 5 - lug 10 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

AT45DB021E-UUN2B-T Risorse

Brand Adesto Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAT45DB021E-UUN2B-T
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
AT45DB021E-UUN2B-T, AT45DB021E-UUN2B-T Datasheet (Totale pagine: 68, Dimensioni: 2.490,34 KB)
PDFAT45DB021E-UUN2B-T Datasheet Copertura
AT45DB021E-UUN2B-T Datasheet Pagina 2 AT45DB021E-UUN2B-T Datasheet Pagina 3 AT45DB021E-UUN2B-T Datasheet Pagina 4 AT45DB021E-UUN2B-T Datasheet Pagina 5 AT45DB021E-UUN2B-T Datasheet Pagina 6 AT45DB021E-UUN2B-T Datasheet Pagina 7 AT45DB021E-UUN2B-T Datasheet Pagina 8 AT45DB021E-UUN2B-T Datasheet Pagina 9 AT45DB021E-UUN2B-T Datasheet Pagina 10 AT45DB021E-UUN2B-T Datasheet Pagina 11

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AT45DB021E-UUN2B-T Specifiche

ProduttoreAdesto Technologies
Serie-
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaFLASH
TecnologiaFLASH
Dimensione della memoria2Mb (256 Bytes x 1024 pages)
Interfaccia di memoriaSPI
Frequenza di clock70MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina8µs, 3ms
Tempo di accesso-
Tensione - Alimentazione1.65V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TC)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-UFBGA, WLCSP
Pacchetto dispositivo fornitore8-WLCSP

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Produttore

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Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

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Dimensione della memoria

36Kb (4K x 9)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

20ns

Tempo di accesso

20ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

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Serie

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Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

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Dimensione della memoria

32Mb (4M x 8, 2M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

90ns

Tempo di accesso

90ns

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 105°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

64-LBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

64-FBGA (9x9)

S34MS01G104BHI010

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

MS-1

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NAND

Dimensione della memoria

1Gb (64M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

45ns

Tempo di accesso

45ns

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.95V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

63-VFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

63-BGA (11x9)

CY7C1355C-133BGXC

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

NoBL™

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, SDR

Dimensione della memoria

9Mb (256K x 36)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

133MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

6.5ns

Tensione - Alimentazione

3.135V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

119-BGA

Pacchetto dispositivo fornitore

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MT53D384M64D4NZ-053 WT:C TR

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Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

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Tipo di memoria

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Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

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Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

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