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AT34C02-10TI-2.7

AT34C02-10TI-2.7

Solo per riferimento

Numero parte AT34C02-10TI-2.7
PNEDA Part # AT34C02-10TI-2-7
Descrizione IC EEPROM 2K I2C 400KHZ 8TSSOP
Produttore Microchip Technology
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.510
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 15 - giu 20 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

AT34C02-10TI-2.7 Risorse

Brand Microchip Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAT34C02-10TI-2.7
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
AT34C02-10TI-2.7, AT34C02-10TI-2.7 Datasheet (Totale pagine: 19, Dimensioni: 197,33 KB)
PDFAT34C02-10TU-1.8 Datasheet Copertura
AT34C02-10TU-1.8 Datasheet Pagina 2 AT34C02-10TU-1.8 Datasheet Pagina 3 AT34C02-10TU-1.8 Datasheet Pagina 4 AT34C02-10TU-1.8 Datasheet Pagina 5 AT34C02-10TU-1.8 Datasheet Pagina 6 AT34C02-10TU-1.8 Datasheet Pagina 7 AT34C02-10TU-1.8 Datasheet Pagina 8 AT34C02-10TU-1.8 Datasheet Pagina 9 AT34C02-10TU-1.8 Datasheet Pagina 10 AT34C02-10TU-1.8 Datasheet Pagina 11

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AT34C02-10TI-2.7 Specifiche

ProduttoreMicrochip Technology
Serie-
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaEEPROM
TecnologiaEEPROM
Dimensione della memoria2Kb (256 x 8)
Interfaccia di memoriaI²C
Frequenza di clock400kHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina10ms
Tempo di accesso900ns
Tensione - Alimentazione2.7V ~ 5.5V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-TSSOP

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Micron Technology Inc.

Serie

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Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

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Tecnologia

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Dimensione della memoria

256Gb (32G x 8)

Interfaccia di memoria

MMC

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

100-TBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

100-TBGA (14x18)

CY7C1383D-100AXCT

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, SDR

Dimensione della memoria

18Mb (1M x 18)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

100MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

8.5ns

Tensione - Alimentazione

3.135V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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100-TQFP (14x20)

IS42S16100E-6BLI-TR

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Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM

Dimensione della memoria

16Mb (1M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

166MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

5.5ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Serie

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Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

32Mb (4M x 8, 2M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

90ns

Tempo di accesso

90ns

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

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Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

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Dimensione della memoria

8Kb (1K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

55ns

Tempo di accesso

55ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

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