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AT29BV040A-20TU-T

AT29BV040A-20TU-T

Solo per riferimento

Numero parte AT29BV040A-20TU-T
PNEDA Part # AT29BV040A-20TU-T
Descrizione IC FLASH 4M PARALLEL 32TSOP
Produttore Microchip Technology
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Disponibile 6.012
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Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

AT29BV040A-20TU-T Risorse

Brand Microchip Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAT29BV040A-20TU-T
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
AT29BV040A-20TU-T, AT29BV040A-20TU-T Datasheet (Totale pagine: 16, Dimensioni: 714,44 KB)
PDFAT29BV040A-20JU Datasheet Copertura
AT29BV040A-20JU Datasheet Pagina 2 AT29BV040A-20JU Datasheet Pagina 3 AT29BV040A-20JU Datasheet Pagina 4 AT29BV040A-20JU Datasheet Pagina 5 AT29BV040A-20JU Datasheet Pagina 6 AT29BV040A-20JU Datasheet Pagina 7 AT29BV040A-20JU Datasheet Pagina 8 AT29BV040A-20JU Datasheet Pagina 9 AT29BV040A-20JU Datasheet Pagina 10 AT29BV040A-20JU Datasheet Pagina 11

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AT29BV040A-20TU-T Specifiche

ProduttoreMicrochip Technology
Serie-
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaFLASH
TecnologiaFLASH
Dimensione della memoria4Mb (512K x 8)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock-
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina20ms
Tempo di accesso200ns
Tensione - Alimentazione2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TC)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia32-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore32-TSOP

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Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

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Dimensione della memoria

256Kb (32K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

15ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

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Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

PSRAM

Tecnologia

PSRAM (Pseudo SRAM)

Dimensione della memoria

16Mb (1M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

70ns

Tempo di accesso

70ns

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, SDR

Dimensione della memoria

4.5Mb (128K x 36)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

183MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

3.3ns

Tensione - Alimentazione

3.135V ~ 3.465V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

100-LQFP

Pacchetto dispositivo fornitore

100-TQFP (14x14)

34AA02-E/P

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Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

2Kb (256 x 8)

Interfaccia di memoria

I²C

Frequenza di clock

400kHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

900ns

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TA)

Tipo di montaggio

Through Hole

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Tipo di memoria

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Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

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Dimensione della memoria

16Kb (2K x 8)

Interfaccia di memoria

I²C

Frequenza di clock

100kHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

10ms

Tempo di accesso

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Tensione - Alimentazione

1.8V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

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Tipo di montaggio

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