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AT27LV512A-90TU

AT27LV512A-90TU

Solo per riferimento

Numero parte AT27LV512A-90TU
PNEDA Part # AT27LV512A-90TU
Descrizione IC EPROM 512K PARALLEL 28TSOP
Produttore Microchip Technology
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.374
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
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AT27LV512A-90TU Risorse

Brand Microchip Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAT27LV512A-90TU
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
AT27LV512A-90TU, AT27LV512A-90TU Datasheet (Totale pagine: 15, Dimensioni: 385,43 KB)
PDFAT27LV512A-90RU Datasheet Copertura
AT27LV512A-90RU Datasheet Pagina 2 AT27LV512A-90RU Datasheet Pagina 3 AT27LV512A-90RU Datasheet Pagina 4 AT27LV512A-90RU Datasheet Pagina 5 AT27LV512A-90RU Datasheet Pagina 6 AT27LV512A-90RU Datasheet Pagina 7 AT27LV512A-90RU Datasheet Pagina 8 AT27LV512A-90RU Datasheet Pagina 9 AT27LV512A-90RU Datasheet Pagina 10 AT27LV512A-90RU Datasheet Pagina 11

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AT27LV512A-90TU Specifiche

ProduttoreMicrochip Technology
Serie-
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaEPROM
TecnologiaEPROM - OTP
Dimensione della memoria512Kb (64K x 8)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock-
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina-
Tempo di accesso90ns
Tensione - Alimentazione3V ~ 3.6V, 4.5V ~ 5.5V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TC)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore28-TSOP

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Produttore

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Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, SDR

Dimensione della memoria

4.5Mb (128K x 36)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

8.5ns

Tensione - Alimentazione

3.135V ~ 3.465V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

100-LQFP

Pacchetto dispositivo fornitore

100-TQFP (14x14)

71V424L15PHGI

IDT, Integrated Device Technology

Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Asynchronous

Dimensione della memoria

4Mb (512K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

15ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

44-TSOP II

CY7C1061GE-10BVJXIT

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Asynchronous

Dimensione della memoria

16Mb (1M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

10ns

Tempo di accesso

10ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

48-VFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

48-VFBGA (6x8)

S70PL254J00BFWA20G

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di memoria

-

Formato memoria

-

Tecnologia

-

Dimensione della memoria

-

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

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Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

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Dimensione della memoria

512Mb (16M x 32)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

400MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.14V ~ 1.95V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

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