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AT25XV041B-UUVHR-T

AT25XV041B-UUVHR-T

Solo per riferimento

Numero parte AT25XV041B-UUVHR-T
PNEDA Part # AT25XV041B-UUVHR-T
Descrizione IC FLASH 4M SPI 85MHZ 8WLCSP
Produttore Adesto Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.840
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 4 - giu 9 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

AT25XV041B-UUVHR-T Risorse

Brand Adesto Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAT25XV041B-UUVHR-T
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
AT25XV041B-UUVHR-T, AT25XV041B-UUVHR-T Datasheet (Totale pagine: 53, Dimensioni: 3.014,25 KB)
PDFAT25XV041B-MHV-Y Datasheet Copertura
AT25XV041B-MHV-Y Datasheet Pagina 2 AT25XV041B-MHV-Y Datasheet Pagina 3 AT25XV041B-MHV-Y Datasheet Pagina 4 AT25XV041B-MHV-Y Datasheet Pagina 5 AT25XV041B-MHV-Y Datasheet Pagina 6 AT25XV041B-MHV-Y Datasheet Pagina 7 AT25XV041B-MHV-Y Datasheet Pagina 8 AT25XV041B-MHV-Y Datasheet Pagina 9 AT25XV041B-MHV-Y Datasheet Pagina 10 AT25XV041B-MHV-Y Datasheet Pagina 11

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AT25XV041B-UUVHR-T Specifiche

ProduttoreAdesto Technologies
Serie-
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaFLASH
TecnologiaFLASH
Dimensione della memoria4Mb (512K x 8)
Interfaccia di memoriaSPI
Frequenza di clock85MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina8µs, 2.75ms
Tempo di accesso-
Tensione - Alimentazione1.65V ~ 4.4V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 125°C (TC)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-XFBGA, WLCSP
Pacchetto dispositivo fornitore8-WLCSP (1.63x1.58)

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Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

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Formato memoria

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Tecnologia

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Dimensione della memoria

128Mb (4M x 32)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

125MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

7ns

Tensione - Alimentazione

2.3V ~ 2.7V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

90-VFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

90-VFBGA (8x13)

EDFP112A3PB-JD-F-R

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - Mobile LPDDR3

Dimensione della memoria

24Gb (192M x 128)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

933MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.14V ~ 1.95V

Temperatura di esercizio

-30°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

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Produttore

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Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

16Kb (2K x 8)

Interfaccia di memoria

I²C

Frequenza di clock

400kHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

900ns

Tensione - Alimentazione

2.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

8-DIP (0.300", 7.62mm)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-DIP

CY7C1350G-200AXC

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Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

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Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, SDR

Dimensione della memoria

4.5Mb (128K x 36)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

200MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

2.8ns

Tensione - Alimentazione

3.135V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

100-LQFP

Pacchetto dispositivo fornitore

100-TQFP (14x20)

CG7902AAT

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

*

Tipo di memoria

-

Formato memoria

-

Tecnologia

-

Dimensione della memoria

-

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

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