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AT25XE041B-MHN-Y

AT25XE041B-MHN-Y

Solo per riferimento

Numero parte AT25XE041B-MHN-Y
PNEDA Part # AT25XE041B-MHN-Y
Descrizione IC FLASH 4M SPI 85MHZ 8UDFN
Produttore Adesto Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.240
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Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

AT25XE041B-MHN-Y Risorse

Brand Adesto Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAT25XE041B-MHN-Y
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
AT25XE041B-MHN-Y, AT25XE041B-MHN-Y Datasheet (Totale pagine: 52, Dimensioni: 3.098,09 KB)
PDFAT25XE041B-MHN-Y Datasheet Copertura
AT25XE041B-MHN-Y Datasheet Pagina 2 AT25XE041B-MHN-Y Datasheet Pagina 3 AT25XE041B-MHN-Y Datasheet Pagina 4 AT25XE041B-MHN-Y Datasheet Pagina 5 AT25XE041B-MHN-Y Datasheet Pagina 6 AT25XE041B-MHN-Y Datasheet Pagina 7 AT25XE041B-MHN-Y Datasheet Pagina 8 AT25XE041B-MHN-Y Datasheet Pagina 9 AT25XE041B-MHN-Y Datasheet Pagina 10 AT25XE041B-MHN-Y Datasheet Pagina 11

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AT25XE041B-MHN-Y Specifiche

ProduttoreAdesto Technologies
Serie-
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaFLASH
TecnologiaFLASH
Dimensione della memoria4Mb (512K x 8)
Interfaccia di memoriaSPI
Frequenza di clock85MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina8µs, 2.75ms
Tempo di accesso-
Tensione - Alimentazione1.65V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TC)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-UDFN Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitore8-UDFN (5x6)

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Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

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Tecnologia

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Dimensione della memoria

256Mb (16M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

166MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

5.4ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Produttore

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Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

PSRAM

Tecnologia

PSRAM (Pseudo SRAM)

Dimensione della memoria

64Mb (8M x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

166MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

40ns

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.95V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 105°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

24-VBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

24-FBGA (6x8)

CY7C1472BV33-200BZXC

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

NoBL™

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, SDR

Dimensione della memoria

72Mb (4M x 18)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

200MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

3ns

Tensione - Alimentazione

3.135V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

165-LBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

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93LC66B-E/ST

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

4Kb (256 x 16)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

2MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

6ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-TSSOP

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STMicroelectronics

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Tipo di memoria

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Formato memoria

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Tecnologia

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Dimensione della memoria

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Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

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Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

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Tipo di montaggio

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