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AT25P1024W1-10SI-2.7

AT25P1024W1-10SI-2.7

Solo per riferimento

Numero parte AT25P1024W1-10SI-2.7
PNEDA Part # AT25P1024W1-10SI-2-7
Descrizione IC EEPROM 1M SPI 2.1MHZ 20SOIC
Produttore Microchip Technology
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Disponibile 2.556
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Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

AT25P1024W1-10SI-2.7 Risorse

Brand Microchip Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAT25P1024W1-10SI-2.7
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
AT25P1024W1-10SI-2.7, AT25P1024W1-10SI-2.7 Datasheet (Totale pagine: 16, Dimensioni: 162,89 KB)
PDFAT25P1024W1-10SI-2.7 Datasheet Copertura
AT25P1024W1-10SI-2.7 Datasheet Pagina 2 AT25P1024W1-10SI-2.7 Datasheet Pagina 3 AT25P1024W1-10SI-2.7 Datasheet Pagina 4 AT25P1024W1-10SI-2.7 Datasheet Pagina 5 AT25P1024W1-10SI-2.7 Datasheet Pagina 6 AT25P1024W1-10SI-2.7 Datasheet Pagina 7 AT25P1024W1-10SI-2.7 Datasheet Pagina 8 AT25P1024W1-10SI-2.7 Datasheet Pagina 9 AT25P1024W1-10SI-2.7 Datasheet Pagina 10 AT25P1024W1-10SI-2.7 Datasheet Pagina 11

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AT25P1024W1-10SI-2.7 Specifiche

ProduttoreMicrochip Technology
Serie-
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaEEPROM
TecnologiaEEPROM
Dimensione della memoria1Mb (128K x 8)
Interfaccia di memoriaSPI
Frequenza di clock2.1MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina5ms
Tempo di accesso-
Tensione - Alimentazione2.7V ~ 5.5V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TC)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore20-SOIC

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Renesas Electronics America

Produttore

Renesas Electronics America

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

128Kb (16K x 8)

Interfaccia di memoria

I²C

Frequenza di clock

400kHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

900ns

Tensione - Alimentazione

1.8V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-TSSOP

S99GL01GP0609

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

*

Tipo di memoria

-

Formato memoria

-

Tecnologia

-

Dimensione della memoria

-

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

MT53B512M32D2GZ-062 AIT:B TR

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - Mobile LPDDR4

Dimensione della memoria

16Gb (512M x 32)

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

1600MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.1V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 95°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

200-WFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

200-WFBGA (11x14.5)

S25FL129P0XBHIZ10

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

FL-P

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

128Mb (16M x 8)

Interfaccia di memoria

SPI - Quad I/O

Frequenza di clock

104MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5µs, 3ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Dimensione della memoria

128Kb (16K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

17ns

Tempo di accesso

17ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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