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AT25HP512-10PC-2.7

AT25HP512-10PC-2.7

Solo per riferimento

Numero parte AT25HP512-10PC-2.7
PNEDA Part # AT25HP512-10PC-2-7
Descrizione IC EEPROM 512K SPI 10MHZ 8DIP
Produttore Microchip Technology
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.724
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 3 - giu 8 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

AT25HP512-10PC-2.7 Risorse

Brand Microchip Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAT25HP512-10PC-2.7
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
AT25HP512-10PC-2.7, AT25HP512-10PC-2.7 Datasheet (Totale pagine: 17, Dimensioni: 234,46 KB)
PDFAT25HP256W-10SI Datasheet Copertura
AT25HP256W-10SI Datasheet Pagina 2 AT25HP256W-10SI Datasheet Pagina 3 AT25HP256W-10SI Datasheet Pagina 4 AT25HP256W-10SI Datasheet Pagina 5 AT25HP256W-10SI Datasheet Pagina 6 AT25HP256W-10SI Datasheet Pagina 7 AT25HP256W-10SI Datasheet Pagina 8 AT25HP256W-10SI Datasheet Pagina 9 AT25HP256W-10SI Datasheet Pagina 10 AT25HP256W-10SI Datasheet Pagina 11

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AT25HP512-10PC-2.7 Specifiche

ProduttoreMicrochip Technology
Serie-
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaEEPROM
TecnologiaEEPROM
Dimensione della memoria512Kb (64K x 8)
Interfaccia di memoriaSPI
Frequenza di clock10MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina10ms
Tempo di accesso-
Tensione - Alimentazione2.7V ~ 5.5V
Temperatura di esercizio0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / Custodia8-DIP (0.300", 7.62mm)
Pacchetto dispositivo fornitore8-PDIP

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Alliance Memory, Inc.

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Tipo di memoria

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Formato memoria

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Tecnologia

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Dimensione della memoria

1Gb (64M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

166MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

700ps

Tensione - Alimentazione

2.3V ~ 2.7V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

66-TSOP II

AT28C64E-12SI

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

64Kb (8K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

200µs

Tempo di accesso

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Tensione - Alimentazione

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Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Asynchronous

Dimensione della memoria

1Mb (64K x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

12ns

Tempo di accesso

12ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

44-TSOP II

MT47H32M16CC-3E:B

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - DDR2

Dimensione della memoria

512Mb (32M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

333MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

450ps

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.9V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 85°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

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Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Dual Port, Synchronous

Dimensione della memoria

2Mb (64K x 36)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

133MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

4.2ns

Tensione - Alimentazione

3.15V ~ 3.45V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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