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AT25DN512C-XMHFGP-T

AT25DN512C-XMHFGP-T

Solo per riferimento

Numero parte AT25DN512C-XMHFGP-T
PNEDA Part # AT25DN512C-XMHFGP-T
Descrizione IC FLASH 512K SPI 104MHZ 8TSSOP
Produttore Adesto Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.020
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 26 - mag 31 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

AT25DN512C-XMHFGP-T Risorse

Brand Adesto Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAT25DN512C-XMHFGP-T
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
AT25DN512C-XMHFGP-T, AT25DN512C-XMHFGP-T Datasheet (Totale pagine: 40, Dimensioni: 2.214,8 KB)
PDFAT25DN512C-MAHF-Y Datasheet Copertura
AT25DN512C-MAHF-Y Datasheet Pagina 2 AT25DN512C-MAHF-Y Datasheet Pagina 3 AT25DN512C-MAHF-Y Datasheet Pagina 4 AT25DN512C-MAHF-Y Datasheet Pagina 5 AT25DN512C-MAHF-Y Datasheet Pagina 6 AT25DN512C-MAHF-Y Datasheet Pagina 7 AT25DN512C-MAHF-Y Datasheet Pagina 8 AT25DN512C-MAHF-Y Datasheet Pagina 9 AT25DN512C-MAHF-Y Datasheet Pagina 10 AT25DN512C-MAHF-Y Datasheet Pagina 11

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AT25DN512C-XMHFGP-T Specifiche

ProduttoreAdesto Technologies
Serie-
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaFLASH
TecnologiaFLASH
Dimensione della memoria512Kb (64K x 8)
Interfaccia di memoriaSPI
Frequenza di clock104MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina8µs, 1.75ms
Tempo di accesso-
Tensione - Alimentazione2.3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TC)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-TSSOP

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Produttore

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Serie

-

Tipo di memoria

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Formato memoria

SRAM

Tecnologia

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Dimensione della memoria

2Mb (64K x 36)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

133MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

4.2ns

Tensione - Alimentazione

3.15V ~ 3.45V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

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Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Asynchronous

Dimensione della memoria

4Mb (256K x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

10ns

Tempo di accesso

10ns

Tensione - Alimentazione

2.4V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Dual Port, Synchronous

Dimensione della memoria

2Mb (128K x 18)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

167MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

3.135V ~ 3.465V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

120-TQFP (14x14)

S29GL512S11DHIV20

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Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

GL-S

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

512Mb (32M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

60ns

Tempo di accesso

110ns

Tensione - Alimentazione

1.65V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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CY62256VLL-70ZXCT

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

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Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Asynchronous

Dimensione della memoria

256Kb (32K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

70ns

Tempo di accesso

70ns

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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