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AT25DL081-UUN-T

AT25DL081-UUN-T

Solo per riferimento

Numero parte AT25DL081-UUN-T
PNEDA Part # AT25DL081-UUN-T
Descrizione IC FLASH 8M SPI 100MHZ 8WLCSP
Produttore Adesto Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.024
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 12 - giu 17 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

AT25DL081-UUN-T Risorse

Brand Adesto Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAT25DL081-UUN-T
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
AT25DL081-UUN-T, AT25DL081-UUN-T Datasheet (Totale pagine: 57, Dimensioni: 2.344,12 KB)
PDFAT25DL081-UUN-T Datasheet Copertura
AT25DL081-UUN-T Datasheet Pagina 2 AT25DL081-UUN-T Datasheet Pagina 3 AT25DL081-UUN-T Datasheet Pagina 4 AT25DL081-UUN-T Datasheet Pagina 5 AT25DL081-UUN-T Datasheet Pagina 6 AT25DL081-UUN-T Datasheet Pagina 7 AT25DL081-UUN-T Datasheet Pagina 8 AT25DL081-UUN-T Datasheet Pagina 9 AT25DL081-UUN-T Datasheet Pagina 10 AT25DL081-UUN-T Datasheet Pagina 11

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  • AT25DL081-UUN-T Distributor

AT25DL081-UUN-T Specifiche

ProduttoreAdesto Technologies
Serie-
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaFLASH
TecnologiaFLASH
Dimensione della memoria8Mb (256 Bytes x 4096 pages)
Interfaccia di memoriaSPI
Frequenza di clock100MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina8µs, 3ms
Tempo di accesso-
Tensione - Alimentazione1.65V ~ 1.95V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TC)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-XFBGA, WLCSP
Pacchetto dispositivo fornitore8-WLCSP (4x2)

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Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

MoBL®

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Asynchronous

Dimensione della memoria

8Mb (1M x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

45ns

Tempo di accesso

45ns

Tensione - Alimentazione

2.2V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

44-TSOP II

IS61NLP51218B-200TQLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, SDR

Dimensione della memoria

9Mb (512K x 18)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

200MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

3.1ns

Tensione - Alimentazione

3.135V ~ 3.465V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

100-LQFP

Pacchetto dispositivo fornitore

100-LQFP (14x20)

709279S12PFI

IDT, Integrated Device Technology

Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Dual Port, Synchronous

Dimensione della memoria

512Kb (32K x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

12ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

100-LQFP

Pacchetto dispositivo fornitore

100-TQFP (14x14)

M29W800FT70ZA3SE

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

8Mb (1M x 8, 512K x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

70ns

Tempo di accesso

70ns

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

48-TFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

48-TFBGA (6x8)

70V07L55PF8

IDT, Integrated Device Technology

Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Dimensione della memoria

256Kb (32K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

55ns

Tempo di accesso

55ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

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Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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