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AT25DF021-MH-T

AT25DF021-MH-T

Solo per riferimento

Numero parte AT25DF021-MH-T
PNEDA Part # AT25DF021-MH-T_CA
Descrizione IC FLASH 2M SPI 70MHZ 8UDFN
Produttore Adesto Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.868
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 16 - mag 21 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

AT25DF021-MH-T Risorse

Brand Adesto Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAT25DF021-MH-T
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
AT25DF021-MH-T, AT25DF021-MH-T Datasheet (Totale pagine: 41, Dimensioni: 908,56 KB)
PDFAT25DF021-SSHF-T Datasheet Copertura
AT25DF021-SSHF-T Datasheet Pagina 2 AT25DF021-SSHF-T Datasheet Pagina 3 AT25DF021-SSHF-T Datasheet Pagina 4 AT25DF021-SSHF-T Datasheet Pagina 5 AT25DF021-SSHF-T Datasheet Pagina 6 AT25DF021-SSHF-T Datasheet Pagina 7 AT25DF021-SSHF-T Datasheet Pagina 8 AT25DF021-SSHF-T Datasheet Pagina 9 AT25DF021-SSHF-T Datasheet Pagina 10 AT25DF021-SSHF-T Datasheet Pagina 11

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AT25DF021-MH-T Specifiche

ProduttoreAdesto Technologies
Serie-
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaFLASH
TecnologiaFLASH
Dimensione della memoria2Mb (256K x 8)
Interfaccia di memoriaSPI
Frequenza di clock70MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina7µs, 5ms
Tempo di accesso-
Tensione - Alimentazione2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TC)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-UDFN Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitore8-UDFN (5x6)

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Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

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Volatile

Formato memoria

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Tecnologia

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Dimensione della memoria

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Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

1600MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.1V

Temperatura di esercizio

-30°C ~ 85°C (TC)

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

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Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di memoria

-

Formato memoria

-

Tecnologia

-

Dimensione della memoria

-

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

CY7C1069GN30-10ZSXI

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Asynchronous

Dimensione della memoria

16Mb (2M x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

10ns

Tempo di accesso

10ns

Tensione - Alimentazione

2.2V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Produttore

Winbond Electronics

Serie

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Tipo di memoria

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Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - DDR

Dimensione della memoria

128Mb (8M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

200MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

50ns

Tensione - Alimentazione

2.3V ~ 2.7V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

66-TSOP II

24LC024HT-E/SN

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

2Kb (256 x 8)

Interfaccia di memoria

I²C

Frequenza di clock

1MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

400ns

Tensione - Alimentazione

2.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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