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AT25640AN-10SI-1.8-T

AT25640AN-10SI-1.8-T

Solo per riferimento

Numero parte AT25640AN-10SI-1.8-T
PNEDA Part # AT25640AN-10SI-1-8-T
Descrizione IC EEPROM 64K SPI 20MHZ 8SOIC
Produttore Microchip Technology
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Disponibile 7.416
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
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AT25640AN-10SI-1.8-T Risorse

Brand Microchip Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAT25640AN-10SI-1.8-T
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
AT25640AN-10SI-1.8-T, AT25640AN-10SI-1.8-T Datasheet (Totale pagine: 23, Dimensioni: 279,55 KB)
PDFAT25640AN-10SI-2.7-T Datasheet Copertura
AT25640AN-10SI-2.7-T Datasheet Pagina 2 AT25640AN-10SI-2.7-T Datasheet Pagina 3 AT25640AN-10SI-2.7-T Datasheet Pagina 4 AT25640AN-10SI-2.7-T Datasheet Pagina 5 AT25640AN-10SI-2.7-T Datasheet Pagina 6 AT25640AN-10SI-2.7-T Datasheet Pagina 7 AT25640AN-10SI-2.7-T Datasheet Pagina 8 AT25640AN-10SI-2.7-T Datasheet Pagina 9 AT25640AN-10SI-2.7-T Datasheet Pagina 10 AT25640AN-10SI-2.7-T Datasheet Pagina 11

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AT25640AN-10SI-1.8-T Specifiche

ProduttoreMicrochip Technology
Serie-
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaEEPROM
TecnologiaEEPROM
Dimensione della memoria64Kb (8K x 8)
Interfaccia di memoriaSPI
Frequenza di clock20MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina5ms
Tempo di accesso-
Tensione - Alimentazione1.8V ~ 5.5V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SOIC

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Produttore

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Serie

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Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

512Mb (64M x 8)

Interfaccia di memoria

SPI - Quad I/O, QPI

Frequenza di clock

133MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 2V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

24-TBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

24-BGA (8x6)

24C01CT-I/OT

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

1Kb (128 x 8)

Interfaccia di memoria

I²C

Frequenza di clock

400kHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

1ms

Tempo di accesso

900ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-23-6

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Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - Mobile LPDDR4

Dimensione della memoria

4Gb (128M x 32)

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

2.133GHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

0.6V, 1.1V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 105°C

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

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Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

4Kb (512 x 8)

Interfaccia di memoria

I²C

Frequenza di clock

1MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-20°C ~ 125°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-UFDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

8-UDFN (2x3)

S29GL512T10FHI040

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

*

Tipo di memoria

-

Formato memoria

-

Tecnologia

-

Dimensione della memoria

-

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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