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AT25160AY1-10YI-2.7

AT25160AY1-10YI-2.7

Solo per riferimento

Numero parte AT25160AY1-10YI-2.7
PNEDA Part # AT25160AY1-10YI-2-7
Descrizione IC EEPROM 16K SPI 20MHZ 8MAP
Produttore Microchip Technology
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Disponibile 5.868
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Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

AT25160AY1-10YI-2.7 Risorse

Brand Microchip Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAT25160AY1-10YI-2.7
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
AT25160AY1-10YI-2.7, AT25160AY1-10YI-2.7 Datasheet (Totale pagine: 23, Dimensioni: 279,55 KB)
PDFAT25640AN-10SI-2.7-T Datasheet Copertura
AT25640AN-10SI-2.7-T Datasheet Pagina 2 AT25640AN-10SI-2.7-T Datasheet Pagina 3 AT25640AN-10SI-2.7-T Datasheet Pagina 4 AT25640AN-10SI-2.7-T Datasheet Pagina 5 AT25640AN-10SI-2.7-T Datasheet Pagina 6 AT25640AN-10SI-2.7-T Datasheet Pagina 7 AT25640AN-10SI-2.7-T Datasheet Pagina 8 AT25640AN-10SI-2.7-T Datasheet Pagina 9 AT25640AN-10SI-2.7-T Datasheet Pagina 10 AT25640AN-10SI-2.7-T Datasheet Pagina 11

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AT25160AY1-10YI-2.7 Specifiche

ProduttoreMicrochip Technology
Serie-
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaEEPROM
TecnologiaEEPROM
Dimensione della memoria16Kb (2K x 8)
Interfaccia di memoriaSPI
Frequenza di clock20MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina5ms
Tempo di accesso-
Tensione - Alimentazione2.7V ~ 5.5V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-VDFN Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitore8-MAP (3x4.9)

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Produttore

Fujitsu Electronics America, Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FRAM

Tecnologia

FRAM (Ferroelectric RAM)

Dimensione della memoria

16Kb (2K x 8)

Interfaccia di memoria

I²C

Frequenza di clock

1MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

550ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOP

25A512-I/SN

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

512Kb (64K x 8)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

10MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 3V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

1Mb (128K x 8)

Interfaccia di memoria

I²C

Frequenza di clock

1MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

400ns

Tensione - Alimentazione

1.8V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

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IDT, Integrated Device Technology

Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Asynchronous

Dimensione della memoria

1Mb (128K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

15ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Tipo di memoria

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Formato memoria

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Tecnologia

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Dimensione della memoria

256Mb (32M x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

60ns

Tempo di accesso

100ns

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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