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AT25040A-10PI-1.8

AT25040A-10PI-1.8

Solo per riferimento

Numero parte AT25040A-10PI-1.8
PNEDA Part # AT25040A-10PI-1-8
Descrizione IC EEPROM 4K SPI 20MHZ 8DIP
Produttore Microchip Technology
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Disponibile 2.358
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

AT25040A-10PI-1.8 Risorse

Brand Microchip Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAT25040A-10PI-1.8
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
AT25040A-10PI-1.8, AT25040A-10PI-1.8 Datasheet (Totale pagine: 20, Dimensioni: 580,05 KB)
PDFAT25040AN-10SI-2.7-T Datasheet Copertura
AT25040AN-10SI-2.7-T Datasheet Pagina 2 AT25040AN-10SI-2.7-T Datasheet Pagina 3 AT25040AN-10SI-2.7-T Datasheet Pagina 4 AT25040AN-10SI-2.7-T Datasheet Pagina 5 AT25040AN-10SI-2.7-T Datasheet Pagina 6 AT25040AN-10SI-2.7-T Datasheet Pagina 7 AT25040AN-10SI-2.7-T Datasheet Pagina 8 AT25040AN-10SI-2.7-T Datasheet Pagina 9 AT25040AN-10SI-2.7-T Datasheet Pagina 10 AT25040AN-10SI-2.7-T Datasheet Pagina 11

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AT25040A-10PI-1.8 Specifiche

ProduttoreMicrochip Technology
Serie-
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaEEPROM
TecnologiaEEPROM
Dimensione della memoria4Kb (512 x 8)
Interfaccia di memoriaSPI
Frequenza di clock20MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina5ms
Tempo di accesso-
Tensione - Alimentazione1.8V ~ 5.5V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / Custodia8-DIP (0.300", 7.62mm)
Pacchetto dispositivo fornitore8-PDIP

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Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, SDR

Dimensione della memoria

18Mb (512K x 36)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

117MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

7.5ns

Tensione - Alimentazione

3.135V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

100-LQFP

Pacchetto dispositivo fornitore

100-TQFP (14x20)

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Asynchronous

Dimensione della memoria

2Mb (128K x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

45ns

Tempo di accesso

45ns

Tensione - Alimentazione

1.65V ~ 2.2V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

48-TFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

48-TFBGA (6x8)

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Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Dual Port, Synchronous

Dimensione della memoria

4.5Mb (256K x 18)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

166MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

3.6ns

Tensione - Alimentazione

3.15V ~ 3.45V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Cypress Semiconductor

Produttore

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Serie

*

Tipo di memoria

-

Formato memoria

-

Tecnologia

-

Dimensione della memoria

-

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

MT53D4DCNZ-DC TR

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

*

Tipo di memoria

-

Formato memoria

-

Tecnologia

-

Dimensione della memoria

-

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

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